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公开(公告)号：CN101258453A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200580051556.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32221 , G05B2219/45031 , H01L22/20 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , Y02P90/22 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种通过多个生产工序生产电子器件的生产系统，具有：生产线，其配备有对相对多个生产工序进行处理的生产装置，生产晶片，电子器件；生产控制部，其通过生产线制造包括含多个被测定晶体管的测试电路的晶片；测定部，其测定测试电路中含有的多个被测定晶体管各自的电特性；确定部，其根据电特性不满足预定基准的被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定多个生产工序中产生不良的生产工序；设定变更部，其变更生产装置的处理条件，该生产装置实施与产生前述不良的生产工序对应的处理。
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公开(公告)号：CN101238566A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200580051329.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/544 , G01R31/31718 , G11C2029/4402 , H01L21/76254 , H01L22/14 , H01L2223/5444 , H01L2924/0002 , Y10T29/49004 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。
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公开(公告)号：CN101258453B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200580051556.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32221 , G05B2219/45031 , H01L22/20 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , Y02P90/22 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种通过多个生产工序生产电子器件的生产系统，具有：生产线，其配备有对相对多个生产工序进行处理的生产装置，生产晶片，电子器件；生产控制部，其通过生产线制造包括含多个被测定晶体管的测试电路的晶片；测定部，其测定测试电路中含有的多个被测定晶体管各自的电特性；确定部，其根据电特性不满足预定基准的被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定多个生产工序中产生不良的生产工序；设定变更部，其变更生产装置的处理条件，该生产装置实施与产生前述不良的生产工序对应的处理。
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公开(公告)号：CN101273311B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580051700.2
申请日：2005-09-27
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提供一种管理方法，该方法是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线，管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法；具有：基准特性取得阶段，其取得基准器件的特性，该基准器件通过可实施多道生产工序的、预定的基准生产线生产；比较器件生产阶段，其使被管理生产线处理多道生产工序中的至少一道生产工序，使基准生产线处理其它生产工序，生产比较器件；比较特性测定阶段，其测定比较器件的特性；特性比较阶段，其比较基准器件的特性和比较器件的特性；判定阶段，其根据特性的差异，判定处理比较器件的被管理生产线的生产工序中使用的生产装置是否良好。
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公开(公告)号：CN101238566B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200580051329.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/544 , G01R31/31718 , G11C2029/4402 , H01L21/76254 , H01L22/14 , H01L2223/5444 , H01L2924/0002 , Y10T29/49004 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101273311A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200580051700.2
申请日：2005-09-27
Applicant: 爱德万测试株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提供一种管理方法，该方法是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线，管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法；具有：基准特性取得阶段，其取得基准器件的特性，该基准器件通过可实施多道生产工序的、预定的基准生产线生产；比较器件生产阶段，其使被管理生产线处理多道生产工序中的至少一道生产工序，使基准生产线处理其它生产工序，生产比较器件；比较特性测定阶段，其测定比较器件的特性；特性比较阶段，其比较基准器件的特性和比较器件的特性；判定阶段，其根据特性的差异，判定处理比较器件的被管理生产线的生产工序中使用的生产装置是否良好。
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公开(公告)号：CN107037209B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201611244853.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 月桂株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01N33/569 , A61L2/04
Abstract: 本发明关于一种灭菌型液体成分检查装置及其使用方法，于生体检查后，能够容易的将携带型病毒检查装置废弃。将从血液、唾液、汗、生体取得的检体与生理盐水混合的检体混合溶液，利用抗体抗原反应进行检体检查后，通过多个小容器内部容积的差，与设置于各小容器的阀的开关操作方法，集中至检查装置本体的最深部，使用所设置的加热装置至少加热集中处，借此有效率的将被认为存在于检体混合液中的病毒等病原体进行灭菌。
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公开(公告)号：CN103443910A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280000929.3
申请日：2012-04-05
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/02052 , H01L21/02236 , H01L21/02252 , H01L21/3247 , H01L21/67017 , H01L21/67757 , H01L29/045
Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。
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公开(公告)号：CN101903562B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN103262225A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201280004168.9
申请日：2012-01-23
Applicant: 先进动力设备技术研究协会 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/30621 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/51 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。
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