公开(公告)号：CN101981631A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111514.1

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  石塚雅之 ,  日高宣浩 ,  白方恭

IPC: H01B3/00 ,  C08K9/04 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0373 ,  B22F1/02 ,  B22F2998/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0245 ,  H05K2201/086 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/258 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种可有效用于搭载于电子设备的电子部件或电路基板的小型化的呈现出低磁性损失(tanδ)的复合材料及其制造方法。本发明的复合材料含有绝缘材料和分散在该绝缘材料内的微粒，所述微粒预先用实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料包覆。所述微粒由有机物或无机物构成，形状优选为扁平形状。作为绝缘材料，适合使用电子部件领域通常使用的绝缘材料。作为本发明的复合材料的优选制造方法，有将微粒预先用绝缘材料包覆并使其分散于实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料中的方法。本发明的复合材料应用于电路基板及/或电子部件的材料，由此可以实现数百MHz～1GHz频带的信息通信设备进一步小型化、低功耗化。

公开(公告)号：CN101194345B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN100595896C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN100550421C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680002450.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101238566A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200580051329.X

申请日：2005-08-18

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  G01R31/31718 ,  G11C2029/4402 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/14 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49004 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。

公开(公告)号：CN101218375A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶－凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN101147264A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200580049186.9

申请日：2005-07-04

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/2884

Abstract: 一种测试电路，包括：多个被测量晶体管，电性地并联设置；选择部，依次选择各个被测量晶体管；以及输出部，依次输出选择部所依次选择的被测量晶体管的源极电压。

公开(公告)号：CN110352474B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN103456836A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310351564.5

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。

公开(公告)号：CN102124550B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980130051.3

申请日：2009-07-08

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学 ,  株式会社爱发科

Inventor： 前田徹 ,  谷川徹郎 ,  寺本章伸 ,  小田正明

IPC: H01L21/60 ,  B22F1/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: B22F1/0062 ,  B22F2999/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13399 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将由分散剂(102)涂布表面的金属纳米粒子(101)混合到有机溶剂(105)中前或混合后，将氧作为氧纳米气泡(125)或氧气泡(121)注入有机溶剂(105)中，通过加压烧结制造用于接合半导体芯片的电极和线路板的电极以及/或半导体芯片的电极和另一半导体芯片的电极的金属纳米油墨(100)。将该金属纳米油墨(100)的微液滴射出到电极上，在半导体芯片的的电极和线路板的电极上形成凸块，使得半导体芯片反转，对位叠合在线路板上后，对各电极间的凸块加压并加热，加压烧结凸块的金属纳米粒子。由此，抑制加压烧结时产生空隙。