公开(公告)号：CN101385396A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005507.4

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 茂山和基 ,  八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC: H05B33/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/24

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/22

Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。

公开(公告)号：CN101385395A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005427.9

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 野泽俊久 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  河村忠一 ,  吉野公彦

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。

公开(公告)号：CN103456836A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310351564.5

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。

公开(公告)号：CN101952974A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105047.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。