公开(公告)号：CN107038697B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201610815887.9

申请日：2016-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈鹏任 ,  王祥保 ,  郑文豪 ,  张永融 ,  胡威仲 ,  黄奕安 ,  陈俊宏

IPC: G06T7/00

Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。

公开(公告)号：CN108724004A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710501716.3

申请日：2017-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  王生城

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/00

Abstract: 一种化学机械研磨设备，包含调节头以及控制器。调节头具有第一压力感测器。控制器经配置以回应第一压力数据来调整调节垫的位置或转动的至少一者。调节头在第一位置与第二位置之间可调整。当调节头处于第二位置时调节头与研磨垫接触。当调节头处于第二位置时第一压力感测器产生第一压力数据。

公开(公告)号：CN108723987A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710455853.8

申请日：2017-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  王生城

IPC: B24B37/34

CPC classification number: B32B43/006 ,  B24B37/34 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B2307/538 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1989

Abstract: 垫移除装置，包括具有沿第一方向的第一端和第二端的垫引导件、附于第一端的致动器，以及与致动器耦合的控制组件。控制组件是配置以造成致动器沿第一方向将第一端朝向第二端移动，且垫引导件是配置以沿垂直第一方向的第二方向延伸一量，该量是视第一端和第二端之间的距离而定。

公开(公告)号：CN106887402A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611084056.5

申请日：2011-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何建志 ,  赵治平 ,  曾华洲 ,  陈俊宏 ,  苏嘉祎 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  郑价言 ,  庄学理

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加ILD层围绕。

公开(公告)号：CN101068007A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610145740.X

申请日：2006-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 俞正明 ,  赵治平 ,  张智胜 ,  陈俊宏

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的形成方法及电阻，特别涉及一种去耦合浅掺杂源/漏极区和袋状注入区的形成方法。上述方法包括：提供一半导体晶片，其包含多个主动区。于上述主动区中形成多个栅极结构。利用一N－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个N－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上。利用一N－袋状注入光罩，形成多个N－袋状注入区于上述半导体晶片上。利用一P－浅掺杂源/漏极光罩，形成多个P－浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上；以及利用一P－袋状注入光罩，形成多个P－袋状注入区于上述半导体晶片上。本发明所提供的半导体结构的形成方法及电阻，可以降低模拟MOS元件之间的失配，并提升其本征增益。

公开(公告)号：CN1482667A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN02131610.4

申请日：2002-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄崎峰 ,  陈俊宏 ,  王是琦 ,  林志贤

IPC: H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种金属电容器的制造方法，该方法首先提供一半导体基底，具有一镶嵌铜结构；然后，在上述镶嵌铜结构上形成一金属层；接著，在上述金属层上形成一金属电容器，其中该金属电容器具有由氮化钽层或氮化钛层所构成的电极层；最后，在上述金属电容器的侧壁形成一绝缘侧壁层。

公开(公告)号：CN220914236U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202322328012.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俐卉 ,  陈俊宏 ,  廖忠志

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H10B10/00

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。第一晶体管包括第一栅极、第一源极/漏极以及设置于第一源极/漏极上方的第一源极/漏极接点。第一栅极具有在第一横向方向上测量的第一尺寸。第一源极/漏极接点具有在第一横向方向上测量的第二尺寸。第二晶体管包括第二栅极、第二源极/漏极以及设置于第二源极/漏极上方的第二源极/漏极接点。第二栅极具有在第一横向方向上测量的第三尺寸。第二源极/漏极接点具有在第一横向方向上测量的第四尺寸。第一尺寸与第二尺寸的第一比例，不同于第三尺寸与第四尺寸的第二比例。

公开(公告)号：CN221947163U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202420052453.8

申请日：2024-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  曾科嘉 ,  林敏巧 ,  黃宪中 ,  陈俊宏 ,  黃冠凯 ,  陈昭成 ,  陈振平 ,  张铭庆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件，包含鳍片、分离结构、虚设栅极间隔件、第一磊晶源极/漏极区域以及需设闸及材料的残留物。鳍片延伸自基材且包含第一鳍片端。分离结构将第一鳍片端与另一鳍片的相邻第一鳍片端分离。虚设栅极间隔件沿着分离结构的侧壁以及鳍片。第一磊晶源极/漏极区域在鳍片中且与第一鳍片端相邻。虚设栅极材料的残留物在虚设栅极间隔件以及第一鳍片端之间的转角区域。第一鳍片端从虚设栅极间隔件突出至分离结构。虚设栅极材料的残留物分离第一磊晶源极/漏极区域与分离结构，且虚设栅极材料的残留物为三角形。

公开(公告)号：CN2731716Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420084368.2

申请日：2004-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  陈俊宏

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种金属在金属上(MOM)的组件。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重迭。