公开(公告)号：CN101971322A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980103650.6

申请日：2009-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/26 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036

Abstract: 【课题】置换非晶碳氢膜最外侧表面的官能基。【解决手段】在覆盖有Low-k膜(105)的硅衬底(Sub)上形成非晶碳氢膜(110)。接下来，对非晶碳氢膜(110)进行非硅烷气体气氛中的加热处理。接下来，对刚进行了该加热处理之后的非晶碳氢膜(110)进行在硅烷气体气氛中的加热处理。在该加热处理之后，形成硬掩模等的膜(115)。

公开(公告)号：CN101589459A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003270.0

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·诺利 ,  F·施米特 ,  A·莱克斯曼 ,  B·H·金 ,  R·阿尔加瓦尼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明的实施例一般提供一种在半导体器件的导电元件之间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般通过在相应导电元件间沉积牺牲材料、在导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后通过多孔层从相应导电元件之间的间隙剥除牺牲材料，从而在相应导电元件之间留下气隙。牺牲材料可以是例如聚合α-萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂氧化层，且剥除工艺可利用例如基于紫外线(UV)的固化工艺。

公开(公告)号：CN101366116A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200780002151.9

申请日：2007-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·库尔鲍 ,  K·E·唐斯 ,  P·J·林德格伦 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法和半导体器件。在所述方法中，在叠层结构中蚀刻至少一个部分过孔(26)，并在所述至少一个部分过孔(26)周围形成边界(32)。所述方法还包括：当继续过孔蚀刻到至少一个蚀刻停止层(22)时，使用选择性蚀刻实施厚布线。

公开(公告)号：CN1290186C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03142424.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡邉健一 ,  河野通有

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面，并且在从第一阻挡金属膜的侧面向半导体器件的外侧偏移的位置形成所述第二阻挡金属膜的侧面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。

公开(公告)号：CN1248304C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03138233.9

申请日：2003-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置等的电子器件中的布线结构的形成方法。在FSG膜(105)等的绝缘膜上形成凹部(106)后，在FSG膜(105)上使凹部(106)等埋入地沉积阻挡膜(108)和Cu膜(111)。之后在除去凹部(106)外侧的Cu膜(111)后，进行热处理，之后除去凹部(106)外侧的阻挡膜(108)。根据本发明，由于可以实现没有空洞或表面裂痕的布线结构，所以可以以高的成品率制造可靠性高的半导体装置的电子器件。

公开(公告)号：CN1231970C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02157548.7

申请日：2002-12-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  清水纪嘉 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第一绝缘膜的表面构成的一个平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成的布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个平整的表面，以及形成在所述第二布线上方并电连接至第二布线的上部布线。

公开(公告)号：CN1667813A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510053695.0

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一绝缘材料、第二绝缘材料和孔，其中第一绝缘材料的相对介电常数是3或更小，第一绝缘材料的杨氏模量是10GPa或更小，第一绝缘材料的线性膨胀系数大于30×10－6℃－1，以及第二绝缘材料的线性膨胀系数是30×10－6℃－11或更小；以及形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层具有连接到所述孔的沟槽，其中与所述孔相距6μm内的第一绝缘层的线性膨胀系数α是30×10－6℃－1或更小，其中：，vi和αi是第i种绝缘材料的体积比和线性膨胀系数。

公开(公告)号：CN1551346A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410036662.0

申请日：2004-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·卡勒文格 ,  斯蒂芬·E·格里科 ,  基思·T·克维特尼亚克 ,  徐顺天 ,  杨智超 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76856 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明给出在集成电路结构中形成布线层的方法，它形成有机绝缘体、对绝缘体进行构图、在绝缘体上沉积衬垫并将该结构暴露到等离子体中以在绝缘体靠近衬垫的区域中形成小孔。衬垫足够薄，以使等离子体穿过衬垫在绝缘体中形成小孔。在等离子体处理过程中，等离子体穿过衬垫而不影响衬垫。在等离子体处理之后，可沉积附加衬垫材料。之后，沉积导体，并从结构上除去导体的多余部分从而导体只存在于绝缘体的构图部分中。这一方法制作了具有如下部分的集成电路结构：具有已构图部件的有机绝缘体、连线已构图部件的衬垫以及填充已构图部件的导体。绝缘体包括沿与衬垫接触的绝缘体表面的小孔，小孔只沿与衬垫接触的绝缘体的表面存在(衬垫不在小孔中)。

公开(公告)号：CN1160773C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00131478.5

申请日：2000-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 降低相邻布线间产生的布线电容，获得半导体器件的制造方法。在形成TEOS膜(1)后，通过CVD法或PVD法，在TEOS膜(1)上形成FSG膜(2)。而且，为了稀有气体原子可进入膜中，继续FSG膜的CVD或PVD，形成稀有气体原子含有层(3)。接着，以稀有气体原子含有层(3)上形成的抗蚀剂(4)用作掩模，顺序地腐蚀稀有气体原子含有层(3)和FSG膜(2)。然后，在除去抗蚀剂(4)后，在整个表面上形成阻挡金属(6)和铜膜(7)。接着，通过CMP法，顺序地研磨除去铜膜和阻挡金属(6)，直至稀有气体原子含有层(3)的上表面露出。由此，作为未被研磨的残留铜膜(7)，形成填充沟(5)内的铜布线(9)。

公开(公告)号：CN1467816A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN02160505.X

申请日：2002-12-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 宁先捷

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为制成含金属互联结构的集成电路一种方法。此方法包括在半导体衬底上形成第一层电介质材料。方法也包含在此电介质层中制成金属嵌刻结构并使其被此电介质所环绕，此方法选择性地去除嵌刻结构某一部分的电介质材料，使这部分的金属线上部暴露出来，此方法在暴露金属线的周围形成多孔电介质材料，这种多孔电介质材料的介电常数在1至2.6之间。