公开(公告)号：CN101490827A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026852.6

申请日：2007-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·E·斯坦达尔特 ,  P·M·戴维斯 ,  约翰·A·费兹西蒙斯 ,  斯蒂芬·E·格里科 ,  泽-曼·考 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  李·M·尼科尔森 ,  苏加萨·桑卡兰

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在层间介电(ILD)材料中形成互连结构的方法，该方法包括步骤：在ILD材料中建立一个或多个通孔开口；形成覆盖一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬；在由第一内衬覆盖的一个或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口；以及形成覆盖一个或多个沟槽开口中的至少一个和至少部分第一内衬的第二内衬。还提供了一种通过该方法形成的互连结构。

公开(公告)号：CN101490827B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200780026852.6

申请日：2007-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·E·斯坦达尔特 ,  P·M·戴维斯 ,  约翰·A·费兹西蒙斯 ,  斯蒂芬·E·格里科 ,  泽-曼·考 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  李·M·尼科尔森 ,  苏加萨·桑卡兰

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在层间介电(ILD)材料中形成互连结构的方法，该方法包括步骤：在ILD材料中建立一个或多个通孔开口；形成覆盖一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬；在由第一内衬覆盖的一个或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口；以及形成覆盖一个或多个沟槽开口中的至少一个和至少部分第一内衬的第二内衬。还提供了一种通过该方法形成的互连结构。

公开(公告)号：CN100382301C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410036662.0

申请日：2004-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·卡勒文格 ,  斯蒂芬·E·格里科 ,  基思·T·克维特尼亚克 ,  徐顺天 ,  杨智超 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明给出在集成电路结构中形成布线层的方法，它形成有机绝缘体、对绝缘体进行构图、在绝缘体上沉积衬垫并将该结构暴露到等离子体中以在绝缘体靠近衬垫的区域中形成小孔。衬垫足够薄，以使等离子体穿过衬垫在绝缘体中形成小孔。在等离子体处理过程中，等离子体穿过衬垫而不影响衬垫。在等离子体处理之后，可沉积附加衬垫材料。之后，沉积导体，并从结构上除去导体的多余部分从而导体只存在于绝缘体的构图部分中。这一方法制作了具有如下部分的集成电路结构：具有已构图部件的有机绝缘体、连线已构图部件的衬垫以及填充已构图部件的导体。绝缘体包括沿与衬垫接触的绝缘体表面的小孔，小孔只沿与衬垫接触的绝缘体的表面存在(衬垫不在小孔中)。

公开(公告)号：CN1551346A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410036662.0

申请日：2004-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·卡勒文格 ,  斯蒂芬·E·格里科 ,  基思·T·克维特尼亚克 ,  徐顺天 ,  杨智超 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76856 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明给出在集成电路结构中形成布线层的方法，它形成有机绝缘体、对绝缘体进行构图、在绝缘体上沉积衬垫并将该结构暴露到等离子体中以在绝缘体靠近衬垫的区域中形成小孔。衬垫足够薄，以使等离子体穿过衬垫在绝缘体中形成小孔。在等离子体处理过程中，等离子体穿过衬垫而不影响衬垫。在等离子体处理之后，可沉积附加衬垫材料。之后，沉积导体，并从结构上除去导体的多余部分从而导体只存在于绝缘体的构图部分中。这一方法制作了具有如下部分的集成电路结构：具有已构图部件的有机绝缘体、连线已构图部件的衬垫以及填充已构图部件的导体。绝缘体包括沿与衬垫接触的绝缘体表面的小孔，小孔只沿与衬垫接触的绝缘体的表面存在(衬垫不在小孔中)。