公开(公告)号：CN1290186C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03142424.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡邉健一 ,  河野通有

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面，并且在从第一阻挡金属膜的侧面向半导体器件的外侧偏移的位置形成所述第二阻挡金属膜的侧面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。

公开(公告)号：CN1467837A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03142424.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡邉健一 ,  河野通有

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面。这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。