公开(公告)号：CN102237408B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010534175.2

申请日：2010-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  张志豪 ,  柯志欣 ,  袁锋 ,  许俊豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供在基底上的场效应晶体管与半导体元件的制造方法，场效应晶体管其结构包含栅极堆叠、隔绝结构以及在基底的上表面下方的源极/漏极凹陷空穴，凹陷空穴介于栅极堆叠与隔绝结构之间。凹陷空穴具有较低部分与较高部分，较低部分具有第一应变层与第一介电膜，第一应变层介于隔绝结构与第一介电膜之间，第一介电膜的厚度小于第一应变层的厚度，较高部分具有第二应变层，位于第一应变层与第一介电膜之上。本发明可形成降低缺陷的应变结构，以提升载子的移动率，并且提高元件效能。

公开(公告)号：CN102656699A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059031.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.皮拉里塞蒂 ,  J.T.卡瓦列罗斯 ,  W.雷奇马迪 ,  U.沙 ,  B.楚-孔 ,  M.拉多沙夫耶维奇 ,  N.穆克赫吉 ,  G.德维 ,  B.Y.金 ,  R.S.乔

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III-V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

公开(公告)号：CN101785111A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103921.3

申请日：2008-08-21

Applicant: 维潘股份有限公司

Inventor： 俞大奎

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于降低在输入功率量及相位差有差异的各电路块间的干扰的配置装置，其包括位于所述电路块间且接地的隔离线。

公开(公告)号：CN1812123A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510023017.X

申请日：2005-10-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·多伊尔 ,  S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  A·马朱姆达 ,  M·拉多萨夫耶维克 ,  R·仇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

公开(公告)号：CN109473398A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710800066.2

申请日：2017-09-07

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈冠宏 ,  李荣原 ,  陆俊岑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、隔离结构、外层结构以及栅极结构。隔离结构配置于基底上。外层结构环绕隔离结构的侧壁。栅极结构环绕外层结构的中间部分，使得被栅极结构所覆盖的中间部分成为通道区，而中间部分的两侧处的外层结构则分别成为源极区与漏极区。

公开(公告)号：CN108475691A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007453.9

申请日：2017-01-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 泷沢正明 ,  馆下八州志 ,  丰岛隆宽 ,  丰福卓哉 ,  坂野赖人 ,  鸟居元展

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本公开涉及一种允许减少光学串扰的固态成像装置和电子设备。在图5的B的示例中，通过以下方法形成电荷存储单元：在衬底中钻孔，在所述孔的表面中形成扩散层，并且形成绝缘膜和上电极以填充所述孔。在图5的C的示例中，通过以下方法形成电荷存储单元：在衬底中钻孔，在所述孔的表面的一半(一侧)中形成扩散层，并且形成绝缘膜和上电极以填充所述孔。通过将按照上述方式形成在所述衬底中的所述电荷存储单元(电容元件)放置在作为第一光电转换单元的PD之间，可以允许所述电容元件用作针对单位像素中的所述PD之间的串扰的屏蔽线对。例如，本公开可以应用于用于成像设备(诸如，摄像机)的CMOS固态成像装置。

公开(公告)号：CN104900693B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510197870.7

申请日：2010-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.皮拉里塞蒂 ,  J.T.卡瓦列罗斯 ,  W.雷奇马迪 ,  U.沙 ,  B.楚-孔 ,  M.拉多沙夫耶维奇 ,  N.穆克赫吉 ,  G.德维 ,  B.Y.金 ,  R.S.乔

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本申请涉及“非平面锗量子阱装置”。公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III‑V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III‑V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

公开(公告)号：CN108028226A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680050965.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 大岛隆文 ,  和田真一郎 ,  池谷克己 ,  米田浩志

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制有源元件的温度上升的车载用半导体装置。一种车载用半导体装置，包括：半导体基板；多个有源元件，它们在半导体基板上形成；多个沟槽，它们包围并绝缘隔离多个有源元件；以及端子，其用于将被多个沟槽中的不同沟槽绝缘隔离的多个有源元件并联连接并与外部连接。

公开(公告)号：CN107408568A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201780001074.9

申请日：2017-01-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 正垣敦 ,  田中裕介

IPC: H01L27/146 ,  G02B7/34 ,  H01L21/76 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/1463 ,  G02B7/34 ,  H01L21/76 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/359 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457

Abstract: 本公开涉及一种可以防止电荷泄漏到相邻像素中的固态成像元件和电子设备。多个像素对经由针对各个像素的不同片上透镜入射到背面上的光进行光电转换。像素分离壁形成在相邻像素之间，并且包括作为在前表面上形成的沟槽的前表面沟槽和作为在背面上形成的沟槽的背面沟槽。配线层设置在前表面上。例如，本公开可应用于背面照射型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN107180877A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610875868.5

申请日：2016-09-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨姆比 ,  D·里帕莫蒂 ,  D·U·吉祖 ,  D·比恩齐

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/76 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0684

Abstract: 提出了具有减少的恢复时间的二极管。一种二极管，包括由前表面限定的半导体主体，并且包括：具有第一导电类型的第一半导体区域，至少部分地面对前表面；以及具有第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域至少部分地面对前表面并且以一定距离围绕第一半导体区域的至少一部分。该二极管进一步包括：沟槽，其从前表面开始在半导体主体中延伸，包围第二半导体区域的至少一部分；以及被布置在沟槽内的外侧绝缘区域，其通过电介质材料形成并且至少部分地接触第二半导体区域。