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公开(公告)号：CN105408258A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480040569.9
申请日：2014-07-16
申请人： 黑达乐格瑞菲工业有限公司
发明人： 阿夫申·塔拉特
CPC分类号： C01G9/02 , C01G9/00 , C01P2002/22 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C07C51/412 , C07F3/06 , H01L21/02554 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/022483 , C07C53/10
摘要： 本发明涉及从包含锌离子、醋酸根离子、和碱性化合物的反应溶液制备层状碱式醋酸锌(LBZA)的方法，其中，(i)醋酸根是反应溶液中用于锌的仅有的抗衡离子；和/或(ii)碱性化合物是羟烷基胺；和/或(iii)碱性化合物是第一碱性化合物并且反应溶液进一步包含具有比第一碱性化合物更高的pKa的第二碱性化合物。本发明也涉及由LBZA晶体制备ZnO材料的方法，涉及由这类ZnO材料制造电子或半导体基部件的方法，以及涉及LBZA晶体和材料本身。
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公开(公告)号：CN103608310B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280029318.1
申请日：2012-06-12
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN105226156A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510523337.5
申请日：2010-08-10
申请人： 印度马德拉斯理工学院
发明人： M·S·拉马钱德拉·劳 , E·森蒂尔·库马
CPC分类号： H01L21/0242 , C23C14/086 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L33/285
摘要： 一种稳定p型Li和过渡金属共掺杂的ZnO薄膜及器件。所述薄膜在室温具有选自约0.01至1Ωcm范围的电阻率、选自约1017cm-3至1018cm-3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm2V-1s-1范围的迁移率，在沉积所述p型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20％之内。
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公开(公告)号：CN105140295A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510522617.4
申请日：2015-08-24
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/242 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L29/786
摘要： 一种薄膜晶体管，包括基板、位于基板上表面的栅极、位于基板上表面并覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上表面的半导体通道层、位于半导体通道层上表面的界定层、位于半导体通道层的上表面并覆盖界定层的有机介电层以及从有机介电层的上表面穿过有机介电层的源极与漏极。其中，半导体通道层具有通道厚度，且通道厚度不大于20纳米。源极于界定层的第一侧与半导体通道层接触，而漏极于该界定层的第二侧与半导体通道层接触，第二侧相对于第一侧。
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公开(公告)号：CN102938420B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210322249.5
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN104885229A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380067811.7
申请日：2013-12-27
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/32134 , H01L21/44 , H01L21/46 , H01L21/465 , H01L29/66969 , H01L29/78636 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。
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公开(公告)号：CN103354241B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310258582.9
申请日：2011-12-27
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要： 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN104733515A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510170872.7
申请日：2010-02-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78663 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。
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公开(公告)号：CN104681447A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510128932.9
申请日：2010-08-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN104681079A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510081061.X
申请日：2010-10-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G11C11/405 , G11C11/56 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C5/06 , G11C7/12 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/565 , G11C16/0408 , G11C16/10 , G11C2211/4016 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/263 , H01L29/7869
摘要： 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。
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