公开(公告)号：CN119422455A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380041510.0

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构，由以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜和与所述晶体氧化物半导体膜形成界面而层叠的绝缘膜构成，在从所述界面到与所述晶体氧化物半导体膜的膜厚大致相等的距离为止的膜厚的所述绝缘膜中，具有满足下述式(1)的区域：1.25≤(A/B的平均值)≤1.75(1)。(式中，A为氧原子的原子数。B为与氧原子键合而存在的阳离子原子的原子数。所述阳离子原子是在所述层叠结构中以1at％以上含有的阳离子原子种类)。

公开(公告)号：CN118830088A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025428.9

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川嶋绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。

公开(公告)号：CN118805263A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380025327.1

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川嶋绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/336

Abstract: 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。

公开(公告)号：CN115340360B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211043880.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  井上一吉 ,  江端一晃 ,  柴田雅敏 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  石原悠

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。

公开(公告)号：CN107924822B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201680044317.2

申请日：2016-07-29

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  笘井重和 ,  江端一晃

IPC: H01L21/205 ,  C01G15/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。

公开(公告)号：CN108369964A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074847.1

申请日：2016-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  关谷隆司 ,  霍间勇辉 ,  上冈义弘 ,  笘井重和 ,  竹岛基浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层，在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。

公开(公告)号：CN103354241B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201310258582.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN108369964B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201680074847.1

申请日：2016-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  关谷隆司 ,  霍间勇辉 ,  上冈义弘 ,  笘井重和 ,  竹岛基浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层，在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。

公开(公告)号：CN108431963A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074791.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  关谷隆司 ,  笘井重和 ,  川岛绘美 ,  上冈义弘

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 一种半导体元件1，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10；以及，与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30，所述半导体元件满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层的载流子浓度(cm-3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。

公开(公告)号：CN107924822A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680044317.2

申请日：2016-07-29

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  笘井重和 ,  江端一晃

IPC: H01L21/205 ,  C01G15/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C30B1/023 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786

Abstract: 一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。