公开(公告)号：CN119234318A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041551.X

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构(10)，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)具有1个以上的如下区域：稀有气体浓度处于0.5at％以上且小于5at％的范围内并且在膜厚方向上以3nm以上连续的区域。

公开(公告)号：CN119422455A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380041510.0

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构，由以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜和与所述晶体氧化物半导体膜形成界面而层叠的绝缘膜构成，在从所述界面到与所述晶体氧化物半导体膜的膜厚大致相等的距离为止的膜厚的所述绝缘膜中，具有满足下述式(1)的区域：1.25≤(A/B的平均值)≤1.75(1)。(式中，A为氧原子的原子数。B为与氧原子键合而存在的阳离子原子的原子数。所述阳离子原子是在所述层叠结构中以1at％以上含有的阳离子原子种类)。

公开(公告)号：CN119234317A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041325.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的第一绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)的平均硅浓度为1.5～10at％。