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公开(公告)号:CN115340360B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211043880.1
申请日:2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶,所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体,其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相,式中,A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素,B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号:CN108886149A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780022320.9
申请日:2017-04-06
Applicant: 出光兴产株式会社
Inventor: 石原悠
IPC: H01M4/62 , C08L101/02 , H01G11/38 , H01M2/16 , H01M4/13
CPC classification number: C08L101/02 , H01G11/38 , H01M2/16 , H01M4/13 , H01M4/62 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011
Abstract: 电化学元件用粘接剂,其含有:具有羧基和/或其盐的聚合物以及具有酰胺基和/或酰胺键的聚合物;或者,具有羧基和/或其盐以及酰胺基和/或酰胺键的聚合物。
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公开(公告)号:CN105873881A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201480070391.2
申请日:2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/764 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物烧结体,其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相,式中,A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素,B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号:CN119631191A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202380054944.4
申请日:2023-08-23
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0562
Abstract: 一种正极复合材料,包含作为碳材料的导电助剂、硫类活性物质、和固体电解质,在利用电子显微镜图像的能量色散型X射线分光法进行的元素分析中,碳和磷的映射的重叠率为50%以上,在使用了CuKα射线的粉末X射线衍射中,在2θ=20.2±0.5°处具有衍射峰A,在2θ=41.1±0.8°处具有衍射峰B。
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公开(公告)号:CN119384731A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202380047143.5
申请日:2023-07-04
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及一种复合粉末,包含具有细孔的碳材料、以及存在于细孔内的第一热含浸材料及第二热含浸材料,第一热含浸材料包含碱金属离子导电性材料或其前体,该碱金属离子导电性材料或其前体包含从锂、硼、氧、磷、卤素及锑中选择的1种以上的元素,第二热含浸材料包含单质硫。
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公开(公告)号:CN115340360A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202211043880.1
申请日:2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶,所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体,其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相,式中,A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素,B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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