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公开(公告)号：CN111668315B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010532733.5
申请日：2014-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/26 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN110447093B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880012548.4
申请日：2018-02-15
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/363 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
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公开(公告)号：CN113614276B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202080023273.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C30B29/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。
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公开(公告)号：CN105453272B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201480045490.5
申请日：2014-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN105474397B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480045491.X
申请日：2014-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115340360B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号：CN110234789A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009025.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01L21/363
Abstract: 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
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公开(公告)号：CN109641757A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050211.8
申请日：2017-08-25
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: C01G15/006 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9638 , C23C14/34 , C23C14/3414
Abstract: 一种石榴石型化合物，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3-XAlXO12 (I)(式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素。X为0≤X＜3)。
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公开(公告)号：CN109311756A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780036417.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 一种氧化物烧结体，含有以In2O3表示的方铁锰矿相以及以Y3In2Ga3O12表示的石榴石相。
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公开(公告)号：CN105453272A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480045490.5
申请日：2014-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/26 , H01L29/47 , H01L29/66969 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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