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公开(公告)号：CN118830088A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025428.9
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118805263A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025327.1
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/336
Abstract: 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
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公开(公告)号：CN119605327A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055651.8
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H01L21/203 , H10D30/01
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的包含多个晶粒的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含：铟(In)；和选自由铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、钪(Sc)及镧系元素组成的组中的第1金属元素，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°时所定义的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.0°以上。通过EBSD法算出的晶界取向变化的平均值可以为40°以下。
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公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN119522639A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052657.X
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67 , H01L21/20 , H10D30/01 , H01L21/363
Abstract: 薄膜晶体管，其包含：基板；设置在基板之上的金属氧化物层；与金属氧化物层相接地设置、并包含多个晶粒的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.4°以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119604968A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055153.3
申请日：2023-07-26
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H10D30/67
Abstract: 层叠结构体具有基底绝缘层、设置在基底绝缘层上的金属氧化物层、和与金属氧化物层相接地设置的氧化物半导体层，氧化物半导体层有与金属氧化物层中包含的金属元素相同的金属元素具有浓度梯度的区域，金属元素的浓度梯度随着接近金属氧化物层与氧化物半导体层的界面而增加。
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公开(公告)号：CN119498029A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051062.2
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的具有多晶结构的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜的晶体结构为方铁锰矿型结构，在使用Cu‑Kα射线的面外XRD衍射图案中，氧化物半导体膜的(222)面的峰强度相对(422)面的峰强度之比为3.0以下。由(222)面的所述峰算出的微晶直径可以为10nm以上。
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公开(公告)号：CN119422456A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380042084.2
申请日：2023-04-19
Abstract: 薄膜晶体管(10)包括：设置在基板(100)之上的具有多晶结构的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层(150)，氧化物半导体层包括：与栅电极重叠且具有第一载流子浓度(n1)的第一区域(141)；与栅电极不重叠且具有第二载流子浓度(n2)的第二区域(142)；和与栅电极重叠且位于第一区域与所述第二区域之间的第三区域(143)，第二载流子浓度比第一载流子浓度大，第三区域的载流子浓度在从第二区域朝向所述第一区域的沟道长度方向上减少，沟道长度方向上的第三区域的长度为0.00μm以上0.60μm以下。
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公开(公告)号：CN119422455A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380041510.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H10D30/67 , H01L21/363
Abstract: 一种层叠结构，由以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜和与所述晶体氧化物半导体膜形成界面而层叠的绝缘膜构成，在从所述界面到与所述晶体氧化物半导体膜的膜厚大致相等的距离为止的膜厚的所述绝缘膜中，具有满足下述式(1)的区域：1.25≤(A/B的平均值)≤1.75(1)。(式中，A为氧原子的原子数。B为与氧原子键合而存在的阳离子原子的原子数。所述阳离子原子是在所述层叠结构中以1at％以上含有的阳离子原子种类)。
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公开(公告)号：CN115340360B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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