公开(公告)号：CN102870219A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020397.5

申请日：2011-04-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/263 ,  H01L21/383 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。

公开(公告)号：CN104681079B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510081061.X

申请日：2010-10-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

公开(公告)号：CN101911303B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122558.X

申请日：2008-12-19

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉 ,  笘井重和 ,  笠见雅司

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/263 ,  C23C14/086 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管，其具有半导体层，所述半导体层包含以下述(1)～(3)式的原子比包含In元素及Zn元素、和选自Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及镧系元素类中的一种以上元素X的复合氧化物。In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)，In/(In+X)＝0.29～0.99(2)，Zn/(X+Zn)＝0.29～0.99(3)。

公开(公告)号：CN101911303A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122558.X

申请日：2008-12-19

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉 ,  笘井重和 ,  笠见雅司

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/263 ,  C23C14/086 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管，其具有半导体层，所述半导体层包含以下述(1)～(3)式的原子比包含In元素及Zn元素、和选自Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及镧系元素类中的一种以上元素X的复合氧化物。In/(In+Zn)＝0.2～0.8 (1)；In/(In+X)＝0.29～0.99 (2)；Zn/(X+Zn)＝0.29～0.99 (3)。

公开(公告)号：CN102870219B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180020397.5

申请日：2011-04-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/263 ,  H01L21/383 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。

公开(公告)号：CN102612749B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080051357.2

申请日：2010-10-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

摘要： 所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

公开(公告)号：CN104681079A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510081061.X

申请日：2010-10-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

公开(公告)号：CN102931091A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210413187.9

申请日：2012-10-25

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 江政隆 ,  陈柏林

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  G09F9/33

CPC分类号： H01L29/78669 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法包括：在栅极上设置第一绝缘层；在第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层；在氧化物半导体层和缓冲层上设置源极和漏极；对与源极和漏极未直接接触的缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。通过以上方式，本发明可防止后续的制程对氧化物半导体层的损坏，从而保证薄膜晶体管的稳定性，并保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

公开(公告)号：CN102612749A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080051357.2

申请日：2010-10-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

摘要： 所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。