公开(公告)号：CN102245533B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980150518.0

申请日：2009-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  川岛浩和 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  笠见雅司 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物烧结体，其在氧化铟结晶中固溶有选自铝及钪中的一种以上的金属的氧化物，且铟和选自铝及钪中的一种以上的金属的原子比((一种以上的金属的合计)/(一种以上的金属和In的合计)×100)为0.001％以上且不足45％。

公开(公告)号：CN103518263B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280022557.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  川岛浩和 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域1：0.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域2：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域3：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。

公开(公告)号：CN102916052B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210417892.6

申请日：2009-09-15

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  矢野公规 ,  笘井重和 ,  宇都野太 ,  笠见雅司 ,  后藤健治 ,  川岛浩和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及具有以氧化铟作为主成分、且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102105619B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980129196.1

申请日：2009-06-05

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛浩和 ,  矢野公规 ,  宇都野太 ,  井上一吉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点（溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良）的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的组成量为以原子比表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)

公开(公告)号：CN102245531B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN200980149720.1

申请日：2009-12-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和

IPC: H01L21/363 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/2206 ,  C04B35/453 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  Y10T428/10

Abstract: 本发明为一种复合氧化物烧结体，其含有In、Zn及Sn，烧结体密度以相对密度计为90％以上、平均结晶粒径为10μm以下、体电阻为30mΩcm以下，直径10μm以上的氧化锡的凝集粒子数在每1.00mm2为2.5个以下。

公开(公告)号：CN102395542B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201080016347.5

申请日：2010-11-17

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之 ,  川岛浩和

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C04B35/453 ,  C01G15/00 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物，其含有铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锌元素(Zn)，通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处观测到衍射峰，并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。

公开(公告)号：CN102105619A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129196.1

申请日：2009-06-05

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛浩和 ,  矢野公规 ,  宇都野太 ,  井上一吉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

Abstract: 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点(溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良)的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量为以原子％表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)＜0.75

公开(公告)号：CN101897031A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120246.5

申请日：2008-12-10

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉 ,  笘井重和 ,  笠见雅司

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少1面侧具有保护层，半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In(铟)元素、Zn(锌)元素及Ga(镓)元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)、In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)、Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。

公开(公告)号：CN103258857B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310094922.9

申请日：2008-12-10

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉 ,  笘井重和 ,  笠见雅司

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少1面侧具有保护层，半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In(铟)元素、Zn(锌)元素及Ga(镓)元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。

公开(公告)号：CN104926289A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510256414.5

申请日：2009-12-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L29/2206 ,  C04B35/453 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  Y10T428/10

Abstract: 本发明为一种复合氧化物烧结体，其含有In、Zn及Sn，烧结体密度以相对密度计为90％以上、平均结晶粒径为10μm以下、体电阻为30mΩcm以下，直径10μm以上的氧化锡的凝集粒子数在每1.00mm2为2.5个以下。