公开(公告)号：CN102612501A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080052268.X

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种由氧化物构成的烧结体，其特征在于，该氧化物以0.28≤Zn/(In+Zn+Ga)≤0.38、0.18≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.28的原子比含有In、Ga、Zn且以具有InGaO3(ZnO)表示的同系晶体结构的化合物作为主成分。

公开(公告)号：CN103459655B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201280013490.8

申请日：2012-03-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规 ,  安藤诚人 ,  江端一晃 ,  糸濑将之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明的烧结体是至少含有氧化铟及氧化镓的烧结体，其中，体积为14000μm3以上的空隙的空隙率为0.03体积％以下。

公开(公告)号：CN102362003B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201080012980.7

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之 ,  西村麻美

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种含有下述所示的氧化物A和具有方铁锰矿型晶体结构的氧化铟(In2O3)的溅射靶。氧化物A是包含铟元素(In)、镓元素(Ga)、及锌元素(Zn)，且通过X射线衍射测定(Cukα射线)在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°的各位置能观测到衍射峰的氧化物。

公开(公告)号：CN102395542B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201080016347.5

申请日：2010-11-17

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之 ,  川岛浩和

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C04B35/453 ,  C01G15/00 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物，其含有铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锌元素(Zn)，通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处观测到衍射峰，并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。

公开(公告)号：CN102859670A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019930.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 西村麻美 ,  笘井重和 ,  矢野公规 ,  笠见雅司 ,  糸濑将之 ,  松崎滋夫 ,  江端一晃

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在包含稀有气体原子及水分子、且所述水分子的含量相对于所述稀有气体原子以分压比计为0.1～10％的气体的氛围下，溅射包含金属氧化物的靶材，在基板上形成薄膜。

公开(公告)号：CN103518263B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280022557.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  川岛浩和 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域1：0.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域2：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域3：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。

公开(公告)号：CN103518004B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201280022417.7

申请日：2012-04-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 砂川美佐 ,  糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

Abstract: 一种溅射靶，其含有氧化物A和InGaZnO4，所述氧化物A在2θ=7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°、56.5°～59.5°、14.8°～16.2°、22.3°～24.3°、32.2°～34.2°、43.1°～46.1°、46.2°～49.2°和62.7°～66.7°的区域A～K具有衍射峰。

公开(公告)号：CN103534382A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022388.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，各元素的原子比满足下述式（1）～（4）。X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm；0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85 （1）；0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40 （2）；0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70 （3）；0.70≤In/（In＋X）≤0.99 （4）。（式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。）

公开(公告)号：CN103518003A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022038.8

申请日：2012-05-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/622 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）和锌元素（Zn）、以及选自下述X组的一种以上的元素X，并且各元素的原子比满足下述式（1）和（2）：X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm，0.30≤In/（In+Zn）≤0.90（1）、0.70≤In/（In+X）≤0.99（2）（式中，In、Zn和X分别表示溅射靶中的各元素的原子比）。

公开(公告)号：CN103459655A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280013490.8

申请日：2012-03-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规 ,  安藤诚人 ,  江端一晃 ,  糸濑将之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明的烧结体是至少含有氧化铟及氧化镓的烧结体，其中，体积为14000μm3以上的空隙的空隙率为0.03体积％以下。