公开(公告)号：CN106783906A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611167711.3

申请日：2016-12-16

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 谢华飞

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/06 ,  H01L33/285

摘要： 本发明公开了一种显示面板用基板的制作方法，包括：准备透明衬底；在所述透明衬底上形成Mn掺杂ZnS量子点发光体的色阻层。通过实施本发明，采用Mn掺杂ZnS量子点发光体，形成耐高温的量子点色阻层，降低了基板在烘烤制程中高温造成荧光淬灭的可能性。

公开(公告)号：CN103003391A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035082.8

申请日：2011-11-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 井上修 ,  浅野洋 ,  坂井全弘 ,  西谷干彦 ,  井土真澄

IPC分类号： C09K11/54 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

CPC分类号： C09K11/703 ,  C09K11/623 ,  C09K11/642 ,  H01L33/285

摘要： 本发明提供一种在紫外域表示较强发光的氧化锌系紫外发光材料。本发明是作为主成分而包含锌和氧、作为第1副成分而包含从由铝、镓及铟组成的群中选出的至少一种元素、以及作为第2副成分而包含磷、且表示n型导电性的紫外发光材料。

公开(公告)号：CN101583742A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780050169.6

申请日：2007-12-11

申请人： 鲁门兹公司

发明人： 本梅·德科尔

IPC分类号： C25D9/00

CPC分类号： G02B6/12004 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/07 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/347 ,  H01S5/4093 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544

摘要： 本文涉及制备ZnO基的单结和多结光电电池的器件和方法。ZnO基的单结和多结光电电池和其他光电器件包括ZnxA1－xOyB1－y的p型、n型和不掺杂材料，其中所述合金组分A和B分别用x和y表达，并在0至1之间变化。合金元素A选自相关元素包括Mg、Be、Ca、Sr、Cd和In，以及合金元素B选自相关元素包括Te和Se。选择A、B、x和y以允许调节所述材料的带隙。所述材料的带隙选择的范围在约1.4伏特至约6.0伏特之间。可以形成ZnxA1－xOyB1－y基隧道二极管并应用于ZnxA1－xOyB1－y基多结光电器件。ZnxA1－xOyB1－y基单结和多结光电器件也可以包括透明的、导电异质结构和对于ZnO基衬底的高度掺杂接触。

公开(公告)号：CN100361320C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN99810660.7

申请日：1999-08-02

申请人： 密苏里大学

发明人： H·W·怀忒 ,  朱申 ,  Y·赖沃

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/285 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1836 ,  H01L33/0087 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/113 ,  Y10T428/12681

摘要： 公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p-n或n-p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约1015受主/cm3，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1-50cm2/Vs之间。

公开(公告)号：CN100360721C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN02807865.9

申请日：2002-03-20

申请人： 日矿金属株式会社

发明人： 山本哲也 ,  荒川笃俊 ,  佐藤贤次 ,  朝日聪明

IPC分类号： C30B29/48

CPC分类号： C30B29/48 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/227 ,  H01L33/285

摘要： 本发明是关于制造载流子浓度高、而且低电阻的n型ZnTe系化合物半导体单晶的方法和ZnTe系化合物半导体单晶、以及使用该ZnTe系化合物半导体作为基体而制造的半导体器件。具体地说，其特征是，将ZnTe系化合物半导体的导电型控制成第1导电型的第1掺杂剂和将导电型控制成与上述第1导电型不同的第2导电型的第2掺杂剂，以上述第2掺杂剂的原子个数比上述第1掺杂剂的原子个数少地被同时掺杂。按照本发明，在以比以往少的掺杂量就能够达到所希望的载流子浓度同时，能够提高所得到的晶体中的结晶性。

公开(公告)号：CN1189952C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01804240.6

申请日：2001-01-24

申请人： 科学技术振兴事业团 ,  太田裕道 ,  折田政宽

发明人： 太田裕道 ,  折田政宽 ,  细野秀雄 ,  河村贤一 ,  猿仓信彦 ,  平野正浩

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363 ,  H01S5/327

CPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/285 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/327 ,  H01S2302/00

摘要： 虽可确认出于Sr2Cu2O2膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr2Cu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种所形成的p-n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu2O、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。

公开(公告)号：CN1066936A

公开(公告)日：1992-12-09

申请号：CN92103575.6

申请日：1992-05-15

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 迈克尔A·海斯 ,  郑骅 ,  詹姆斯M·迪鲁特 ,  邱钧

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/347 ,  H01L2924/00

摘要： 一种II—VI化合物半导体激光二极管10，是通过叠加多层材料而形成的，材料包括N型单晶半导体衬底12，相邻的N型和P型II—VI半导体引导层14和16形成PN结，引导层14和16之间II—VI半导体量子阱激活层18，与N型引导层14相反的相对于衬底12的第一电极32，与量子阱层18相反的相对于P型引导层16的第二电极30。

公开(公告)号：CN104428910B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380034591.8

申请日：2013-06-28

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： K.阿萨迪 ,  D.M.德里尤 ,  J.F.M.斯勒斯森 ,  W.C.科尔 ,  F.维巴克 ,  P.J.巴伊斯乔 ,  C.E.蒂梅宁

IPC分类号： H01L33/14 ,  C09K11/00 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00 ,  C09K11/54

CPC分类号： H01L33/145 ,  C09K11/643 ,  H01L33/0037 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/36 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0016 ,  H05B33/14

摘要： 本发明提供一种包括作为有源层的基于氧化锌镁的层的发光半导体器件，其中基于氧化锌镁的层包括具有带有1‑350ppm的Al的Zn1‑xMgxO标称成分的铝掺杂氧化锌镁层，其中x在0

公开(公告)号：CN104201293A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410468214.1

申请日：2014-09-15

申请人： 东华大学

发明人： 李耀刚 ,  李佳慧 ,  王宏志 ,  张青红

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L51/5076 ,  H01L33/285

摘要： 本发明涉及一种全无机量子点发光二极管，发光二极管依次叠加的阳极、发光层、电子传输层和阴极。本发明采用具有n型半导体缺陷的TiO2-x薄膜与具有p型半导体缺陷的胶体量子点发光层。在正负极加偏压时，即可在电子传输层与发光层界面处产生p-n结激子。一方面采用TiO2-x为电子传输层可有效提高载流子电子的传输效率，另一方面无空穴传输层可很大程度上减少其对激子发光的阻碍作用，能大大提高量子点发光二极管的电光转换效率。

公开(公告)号：CN103840052A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310596775.5

申请日：2013-11-22

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 郑京锡 ,  蔡基成 ,  金珍郁 ,  赵晟希

IPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/04

CPC分类号： H01L29/225 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L33/285 ,  H01L51/502 ,  H01L33/28 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/04

摘要： 本发明涉及一种量子棒及其制造方法，所述量子棒包括：具有棒状的ZnS半导体颗粒的芯；和过渡金属，所述过渡金属被用来掺杂所述芯，并且偏向所述芯长度方向的一侧。