公开(公告)号：CN101174667A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710186086.1

申请日：1999-08-02

申请人： 密苏里大学

发明人： H·W·怀忒 ,  朱申 ,  Y·赖沃

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L29/12 ,  H01L29/22 ,  H01L23/00 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01L33/285 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1836 ,  H01L33/0087 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/113 ,  Y10T428/12681

摘要： 公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p－n或n－p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约1015受主/cm3，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1－50cm2/Vs之间。

公开(公告)号：CN100361320C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN99810660.7

申请日：1999-08-02

申请人： 密苏里大学

发明人： H·W·怀忒 ,  朱申 ,  Y·赖沃

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/285 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1836 ,  H01L33/0087 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/113 ,  Y10T428/12681

摘要： 公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p-n或n-p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约1015受主/cm3，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1-50cm2/Vs之间。

公开(公告)号：CN1623220A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828388.0

申请日：2002-11-12

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 佐佐木伸一 ,  中村正志 ,  佐藤贤次

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  Y10S148/113

摘要： 在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。

公开(公告)号：CN1317155A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN99810660.7

申请日：1999-08-02

申请人： 密苏里大学

发明人： H·W·怀忒 ,  朱申 ,  Y·赖沃

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/285 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1836 ,  H01L33/0087 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/113 ,  Y10T428/12681

摘要： 公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p－n或n－p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约1015受主/cm3，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1－50cm2/Vs之间。

公开(公告)号：CN1171621A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97113522.3

申请日：1997-05-30

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  津充 ,  三浦祥纪

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

摘要： 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9),然后至少部分去除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8),与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比,光吸收减少。这样,可以得到蓝光亮度更高的发光器件。

公开(公告)号：CN1327483C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN02828388.0

申请日：2002-11-12

申请人： 日矿金属株式会社

发明人： 佐佐木伸一 ,  中村正志 ,  佐藤贤次

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  Y10S148/113

摘要： 在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。

公开(公告)号：CN1080453C

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN97113522.3

申请日：1997-05-30

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  嶋津充 ,  三浦祥纪

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

摘要： 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9)，然后至少部分之除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8)，与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比，光吸收减少。这样，可以得到蓝光亮度更高的发光器件。