公开(公告)号：CN1171621A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97113522.3

申请日：1997-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  津充 ,  三浦祥纪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

Abstract: 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9),然后至少部分去除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8),与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比,光吸收减少。这样,可以得到蓝光亮度更高的发光器件。

公开(公告)号：CN1164759A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。

公开(公告)号：CN1197998A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括:立方晶系半导体(111)衬底;在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层;和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。