公开(公告)号：CN1066936A

公开(公告)日：1992-12-09

申请号：CN92103575.6

申请日：1992-05-15

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 迈克尔A·海斯 ,  郑骅 ,  詹姆斯M·迪鲁特 ,  邱钧

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/347 ,  H01L2924/00

摘要： 一种II—VI化合物半导体激光二极管10，是通过叠加多层材料而形成的，材料包括N型单晶半导体衬底12，相邻的N型和P型II—VI半导体引导层14和16形成PN结，引导层14和16之间II—VI半导体量子阱激活层18，与N型引导层14相反的相对于衬底12的第一电极32，与量子阱层18相反的相对于P型引导层16的第二电极30。

公开(公告)号：CN1097317C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN92103575.6

申请日：1992-05-15

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 迈克尔A·海斯 ,  郑骅 ,  詹姆斯M·迪鲁特 ,  邱钧

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/347 ,  H01L2924/00

摘要： 一种II-VI化合物半导体激光二极管(10)是通过叠加多层材料而形成的。材料包括：N型单晶半导体衬底(12)；相邻的N型和P型II-VI半导体光导层(14和16)所形成的PN结；光导层(14和16)之间的II-VI半导体的量子阱激活层(18)；第一电极(32)，其中所述衬底(12)位于N型光导层(14)和所述第一电极(32)之间；以及第二电极(30)，其中所述P型光导层(16)位于N型光导层(14)和所述第二电极(30)之间。