公开(公告)号：CN109155243A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029216.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/285 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明涉及一种层叠配线膜，其具备包含电阻为10μΩcm以下的Cu或Cu合金的配线层、以及设于所述配线层的上层及下层中的至少一者的包含Cu与X元素的Cu-X合金层，X元素为选自由Al、Mn、Zn以及Ni所组成的X群组中的至少一种，构成Cu-X合金层的金属为特定的组成系。根据本发明的层叠配线膜，可提供一种电阻低、无利用CVD法的层间绝缘膜的SiOx成膜中的剥离、且即使进行400℃以上的高温热处理也无电阻上升的层叠配线膜。

公开(公告)号：CN108886059A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021237.X

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108780817A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN106489209A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源-漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105917450A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004436.0

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  越智元隆

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有极高的迁移率、且应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性等也良好的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源?漏电极和保护源?漏电极的保护膜，氧化物半导体层具有In、Ga、Zn、Sn和O的第一氧化物半导体层与In、Ga、Sn和O的第二氧化物半导体层的层叠结构，第二氧化物半导体层在栅极绝缘膜上形成，第一氧化物半导体层在第二氧化物半导体层与保护膜之间形成，且构成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的各金属元素的含量相对于全部金属元素的含量的原子比均控制为规定的比率。

公开(公告)号：CN103972246A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410205558.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN102041479B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010522145.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  岩崎祐纪 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠 ,  小林宣裕 ,  奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。

公开(公告)号：CN102034832A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010261249.X

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 长尾护 ,  小林宣裕 ,  后藤裕史

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管基板，其在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构，或者具有透明导电膜和Al膜隔着阻障金属层而连接的结构，在其制造工序中，不设置防腐蚀用涂料的涂敷或剥离之类的工序，就能够防止针孔。本发明为在薄膜晶体管中具有透明导电膜和Al合金膜直接连接的结构、或者具有透明导电膜和Al膜隔着阻障金属层而连接的结构的薄膜晶体管基板，在所述透明导电膜存在针孔的部位，在该部位的基底Al合金膜或基底Al膜的表面形成有厚度为3.5nm以上的氧化被膜。

公开(公告)号：CN101911157A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122612.0

申请日：2008-12-25

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: G09F9/30 ,  G02B5/08 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L51/5203 ,  G02B5/0833 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种反射电极，其为构成反射电极的金属层不隔着阻障层而与构成透明电极的氧化物导电膜直接连接的反射电极，该反射电极即使实施例如约100℃～300℃以下的低热处理，也具有高反射率和低连接电阻、且不发生丘等缺陷而耐热性优异。本发明涉及形成于基板上的显示设备用的反射电极，所述反射电极具有含有0.1～2原子％的Ni和/或Co、以及0.1～2原子％的La等X的第一Al-(Ni/Co)-X合金层；含有Al和O(氧)的第二Al氧化物层。所述Al氧化物层与透明像素电极直接连接，所述Al氧化物层中的O原子数与Al原子数的比[O]/[Al]为0.30以下，所述Al氧化物层的最薄部分的厚度为10nm以下，所述反射电极在所述第二Al氧化物层与所述透明像素电极直接连接的区域中，形成于所述透明像素电极与所述基板之间。