公开(公告)号：CN113348562A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

摘要： 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。

公开(公告)号：CN111226307B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC分类号： H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN112088432A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030601.8

申请日：2019-04-23

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

摘要： 本发明提供一种包括氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。

公开(公告)号：CN104620365B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN108701596A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013111.8

申请日：2017-02-02

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 后藤裕史 ,  坂本尚敏

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7802

摘要： 利用了SiC基板的功率半导体装置等中使用的欧姆电极包括：欧姆接触层，其形成于SiC半导体层上，由从镍以及硅化镍所构成的组选择的材料构成；阻挡层，其形成于欧姆接触层上；和电极层，其形成于阻挡层上，由包含锌、镍、钛、锰、钙当中至少1种以上的铜合金构成。

公开(公告)号：CN104885229B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC分类号： H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN104335355B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380029493.5

申请日：2013-06-06

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN105264469A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032200.3

申请日：2014-05-26

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC分类号： G06F3/041 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： G06F3/047 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/043 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的触摸面板传感器用布线膜，由如下层叠结构构成：形成于透明导电膜之上的纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金(第一层)；形成于第一层之上，纯Al或在10原子％以下的范围内含有或从Ta、Nd和Ti所构成的组中选择的至少一种元素的Al合金(第二层)。

公开(公告)号：CN104904017A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC分类号： H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

摘要： 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN102169905B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110036949.3

申请日：2011-02-10

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  寺尾泰昭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  C22C9/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00

摘要： 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。