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公开(公告)号：CN117020203A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310891093.0
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Inventor： 田尾幸树
Abstract: 本发明提供一种能够容易地制造龟裂得到抑制的烧结体的烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法。本发明的一实施方式的烧结体的制造方法包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。
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公开(公告)号：CN113649570A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110490603.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Inventor： 田尾幸树
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地制造龟裂得到抑制的烧结体的烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法。本发明的一实施方式的烧结体的制造方法包括：形成包含金属粉末及金属氧化物粉末的原料粉末的造粒物的步骤、以及对所述造粒物进行煅烧的步骤，所述原料粉末包含Mn、Cu及Zn作为金属元素，所述原料粉末中的所述金属粉末的体积比率为28.0体积％以上，所述煅烧步骤中的烧结压力为20MPa以上。
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公开(公告)号：CN110636996B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201880032267.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: H01L21/363 , C04B35/01 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及溅射靶，其中，金属元素包括In、Ga、Zn及Sn，且所述氧化物烧结体包含Ga2In6Sn2O16、ZnGa2O4及InGaZnO4，当将相对于氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Ga、Zn及Sn的含量的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Zn]及[Sn]时，满足式(1)～式(3)。[Ga]≧37原子％…(1)、[Sn]≦15原子％…(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7…(3)。根据本发明，即便在添加有大量Ga的In‑Ga‑Zn‑Sn系氧化物烧结体中，也可抑制接合时的破裂的发生。
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公开(公告)号：CN108474650B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680065427.7
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Abstract: 测量部(100)测量半导体晶片(10)的边缘部(300)的截面形状(S201)。测量部(100)测量支撑部件(20)的边缘部(300)的截面形状(S203)。测量部(100)测量粘合晶片(30)的边缘部(400)的截面形状(S205)。解析部(220)通过从粘合晶片的厚度(t4)减去半导体晶片(10)的厚度(t1)以及支撑部件(20)的厚度(t2)而计算出粘合剂(40)的厚度(t3)(S207)。
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公开(公告)号：CN106795624B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201680002116.6
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Inventor： 松村仁実
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C21/00 , C23C14/34 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种具有与现有的铝溅镀靶材相同程度的导电性且可减少损伤的发生的溅镀靶材。本发明的铝溅镀靶材包含0.005原子％～0.04原子％的Ni、及0.005原子％～0.06原子％的La，且剩余部分为Al及不可避免的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107614745A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029641.7
申请日：2016-04-20
Applicant: 株式会社钢臂功科研
Inventor： 高木胜寿
Abstract: 本发明是一种溅射靶材，其包含含有0.1原子％～3原子％的Nd的铝合金，X射线衍射峰值强度满足下述式(1)的关系，维氏硬度为29～36；IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)…(1)式中，IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度，IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度，IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度，IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。
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公开(公告)号：CN105873723A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003625.6
申请日：2015-01-09
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D1/088 , B24B27/0633 , B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种加工件的切断方法，在使用在钢丝的表面被覆有树脂皮膜的树脂被覆锯丝，切断硅以外的加工件时，即使为了使生产率提高而将树脂被覆锯丝的线速提高到800m/分钟以上，在切断途中也不会发生树脂皮膜的磨损和树脂被覆锯丝的断线，能够减小切断的加工件的算术平均粗糙度Ra，并且还能够减少波度。一种加工件的切断方法，是使在钢丝的表面被覆树脂皮膜的树脂被覆锯丝运行，切断硅以外的加工件的方法，使所述树脂被覆锯丝或所述加工件中的至少一方摆动，并且向所述树脂被覆锯丝喷射平均粒径高于0μm并在8μm以下的金刚石磨粒，使所述树脂被覆锯丝的线速为800m/分钟以上。
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公开(公告)号：CN104619673B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380047313.6
申请日：2013-09-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: H01L21/363 , C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。
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公开(公告)号：CN103098194B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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公开(公告)号：CN102770237B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180010400.5
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: B24B27/06 , B24D11/00 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B23D61/185
Abstract: 本发明提供在表面具有有机皮膜的被覆锯丝所使用的基底丝，其能够抑制有机皮膜的剥离。另外，本发明提供有机皮膜的耐剥离性优异的被覆锯丝。在本发明中，在表面具有有机皮膜的被覆锯丝用的基底丝，具有钢丝和形成于钢丝的表面的镀层。
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