公开(公告)号：CN106575629B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN104584200B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104681625B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

发明人： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。

公开(公告)号：CN103782374B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201280044092.2

申请日：2012-09-03

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01J11/46 ,  H01J31/12 ,  H01J31/15 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06 ,  H05B33/14

CPC分类号： G02F1/13439 ,  B32B15/016 ,  B32B15/017 ,  C22C14/00 ,  C22C21/00 ,  C22C27/02 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0641 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01J11/46 ,  H01J31/127 ,  H01L21/4885 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/1095 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック：hillock)，高温耐热性优异，配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低，此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构，具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造：所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种；所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。

公开(公告)号：CN103493210B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280019704.2

申请日：2012-04-19

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

摘要： 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，形成保护膜等时不需要氧化处理层，也能够使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于，所述氧化物半导体层是Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧的第1氧化物半导体层、和包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧的第2氧化物半导体层的层叠体，并且所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN103534789B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280022035.4

申请日：2012-05-16

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  横田嘉宏 ,  前田刚彰

IPC分类号： H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：CN103403214B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201280010495.5

申请日：2012-02-27

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。

公开(公告)号：CN104885229A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC分类号： H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN104620365A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

发明人： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。