公开(公告)号：CN108886059A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021237.X

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108780817A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN106489209A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源-漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105659372A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057464.4

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  川上信之 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N22/00 ,  G01N21/63 ,  G01N21/8422 ,  G01N27/04 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定，进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括：第一工序，在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止照射所述激励光，测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化；以及第二工序，根据所述反射率的变化，计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数，对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。

公开(公告)号：CN102486696B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110032825.8

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种特别是相对于压入荷重等的纵向的耐久性优异，难以发生断线或经时的电阻增加，可靠性高的触摸板传感器，其具有透明导电膜和与所述透明导电膜连接的布线，所述布线以从基板侧开始的顺序，由高熔点金属膜、Al合金膜和高熔点金属膜构成，所述Al合金膜含有0.05～1原子％的稀土元素，并且，硬度为2～3.5GPa，在Al合金组织中存在的晶界三重点的密度为2×108个/mm2以上。

公开(公告)号：CN104335354A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027070.X

申请日：2013-05-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  广濑研太 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  C23C14/086

Abstract: 在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，提供一种半导体层用氧化物，其在维持高场效应迁移率的同时，对光、偏压应力等而言，阈值电压的变化量小，应力耐性优异，并且对于使源/漏电极图案化时所使用的湿式蚀刻液具有优异的耐性。该半导体层用氧化物为在薄膜晶体管的半导体层中所使用的氧化物，其由In、Zn、Ga、Sn及O构成，在上述氧化物中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的含量(原子％)分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)～(4)。1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥100···(1)([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100···(2)[In]≤40···(3)[Sn]≥5···(4)。

公开(公告)号：CN104335353A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380025842.6

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好，应力耐受性也优异，并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极和保护膜，其中，所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IGZO)的层叠体。所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，且在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为，In:25％以下(不含0％)、Ga:5％以上、Zn:30.0～60.0％和Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN102041479B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010522145.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  岩崎祐纪 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠 ,  小林宣裕 ,  奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。

公开(公告)号：CN103229303A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。