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公开(公告)号：CN103038888A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037189.6
申请日：2011-07-28
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01B1/08 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要： 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。
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公开(公告)号：CN103229303A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180057012.2
申请日：2011-11-28
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , G01G19/00 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/3492 , C23C14/548 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
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公开(公告)号：CN103229302A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056933.7
申请日：2011-11-28
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C01G19/006 , C01P2006/10 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/548 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
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公开(公告)号：CN103229302B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180056933.7
申请日：2011-11-28
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C01G19/006 , C01P2006/10 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/548 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
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公开(公告)号：CN102859701B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180019734.9
申请日：2011-04-18
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN103415926A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012067.6
申请日：2012-03-08
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L21/02554 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/12 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN103415926B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280012067.6
申请日：2012-03-08
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L21/02554 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/12 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN103229303B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180057012.2
申请日：2011-11-28
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , G01G19/00 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/3492 , C23C14/548 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
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公开(公告)号：CN102859701A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019734.9
申请日：2011-04-18
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN102792451A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012956.8
申请日：2011-04-07
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。
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