公开(公告)号：CN102792451A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012956.8

申请日：2011-04-07

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  前田刚彰 ,  安野聪 ,  寺尾泰昭 ,  三木绫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102859701B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201180019734.9

申请日：2011-04-18

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

发明人： 三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  森田晋也 ,  寺尾泰昭 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102169905B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110036949.3

申请日：2011-02-10

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  寺尾泰昭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  C22C9/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00

摘要： 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

公开(公告)号：CN103003860B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC分类号： G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC分类号： G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN102859701A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019734.9

申请日：2011-04-18

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

发明人： 三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  森田晋也 ,  寺尾泰昭 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在ZnO浓度高的区域，另外在形成保护膜后和外加应力后，仍可以稳定得到良好的特性的薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其中，所述氧化物含有Zn和Sn，还含有从由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga和稀土类元素构成的X群中选择的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102169905A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036949.3

申请日：2011-02-10

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 森田晋也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  寺尾泰昭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  C22C9/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00

摘要： 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

公开(公告)号：CN102822945B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180016158.2

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 寺尾泰昭 ,  森田晋也 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76867 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。

公开(公告)号：CN103003860A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC分类号： G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC分类号： G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN102822945A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016158.2

申请日：2011-03-30

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 寺尾泰昭 ,  森田晋也 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76867 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。