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公开(公告)号：CN105026918A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480004370.0
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。
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公开(公告)号：CN101297066B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680037026.7
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/0281 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件用铜系复合基材，其特征在于，具有：在铜基材或铜合金基材的表面具有由锡或锡系合金构成的被覆层的铜系复合基材、包覆在所述被覆层表面的含有碳化氢基及/或羟基的硅氧化物薄膜。这种电子部件用铜系复合基材为，在用树脂密封或粘接由复合铜系基材构成的基材的情况下，所述基材和树脂成分的密合性较高。
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公开(公告)号：CN100523290C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480031912.X
申请日：2004-10-27
IPC: C23C16/455 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45589 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02186 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612 , H01L21/67017
Abstract: 本发明的课题为，以简略且低成本的结构，使向基材上的均匀的气体供给成为可能，而实现高质量的表面处理。作为其解决的方法，是一边将基材(12)朝特定方向搬送，一边向其表面供给表面处理用气体，由此进行基材(12)的表面处理，作为所述表面处理用气体的供给机构，是使具有圆筒状外周面的旋转体(24)的上述外周面，与所述基材(12)的表面、或设置于从上述基材相离的位置的对向构件(20)，隔有间隙(23)而相对向，使之以与所述基材(12)的搬送方向大致垂直的方向的轴为中心而旋转。由此旋转，使所述表面处理用气体卷入旋转体(24)的外周面，导向所述间隙(23)，从此间隙(23)向所述基材(12)的表面送出表面处理用气体。
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公开(公告)号：CN101097162A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710108243.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01J1/42
Abstract: 提供一种可以长时间、准确地对高强度的紫外线进行监测的紫外线监测系统及紫外线照射装置。该紫外线监测系统(4)具有：供应电力的电源装置(11)；通过从所述电源装置获得电力而照射紫外线的紫外线源(12)；紫外线传感器(13)，其具有作为检测部的金刚石层(22)，并根据该金刚石层(22)生成的电荷，输出与所述紫外线的强度对应的电信号；控制部(14)，其在该电信号的基础上，通过对电源装置(11)的电力供应进行控制，从而控制紫外线源(12)的紫外线输出。
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公开(公告)号：CN109155264A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780026154.X
申请日：2017-04-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明是氧化物半导体薄膜的品质评价方法，选出在通过μ-PCD法测定出的激励光停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中，计算值最高的峰值以及上述峰值的时间常数(μ秒)，根据上述峰值以及上述时间常数推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度。x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)，式中，x：计算值，信号值：微波的反射率(mV)，信号值的经过时间：从激励光停止后到信号值为止的经过时间(μ秒)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518843B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480050138.0
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N22/00 , G01N2201/06113 , G01N2201/0697 , H01L22/12
Abstract: 提供一种以非接触型、正确且使用同一装置简便地测定氧化物半导体薄膜的迁移率和应力耐性来能够进行预测·估计的评价装置。本发明的评价装置具备：对样品的测定部位照射第一激发光而生成电子‑空穴对的第一激发光照射单元；对电磁波进行照射的电磁波照射单元；对反射电磁波强度进行检测的反射电磁波强度检测单元；对所述样品照射第二激发光而生成光致发光光的第二激发光照射单元；对所述光致发光光的发光强度进行测定的发光强度测定单元；以及评价迁移率和应力耐性的评价单元，并且，所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元。
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公开(公告)号：CN105026918B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480004370.0
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。
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公开(公告)号：CN106575629A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580035431.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2656 , H01L22/14 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
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公开(公告)号：CN102838242B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210152478.7
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C02F9/08 , C02F103/08
Abstract: 本发明提供一种海水的杀菌方法，其通过以电解后的紫外线光谱的峰值在特定范围产生的方式使海水电解，并在海水中产生臭氧等杀菌成分，从而能够有效地对海水进行杀菌。本发明使用一种海水的杀菌方法，其特征在于，通过以电解后的海水的紫外线吸收光谱的第1峰值在波长245～275nm之间产生、第2峰值在310～340nm之间产生的方式使海水电解，从而在海水中产生臭氧等杀菌成分。另外，优选以上述电解后的海水的紫外线光谱的第3峰值在波长280～305nm之间产生、第3峰值的吸光度比第1峰值和第2峰值的各吸光度更低的方式，使海水电解。
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公开(公告)号：CN101297066A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680037026.7
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/0281 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件用铜系复合基材，其特征在于，具有：在铜基材或铜合金基材的表面具有由锡或锡系合金构成的被覆层的铜系复合基材、包覆在所述被覆层表面的含有碳化氢基及/或羟基的硅氧化物薄膜。这种电子部件用铜系复合基材为，在用树脂密封或粘接由复合铜系基材构成的基材的情况下，所述基材和树脂成分的密合性较高。
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