公开(公告)号：CN103022144A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN103022144B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN107817624A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710816092.4

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴世容 ,  金昭娟 ,  任完淳

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133617 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/133538 ,  G02F2001/133548 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2201/34 ,  G02F2201/50 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/05

Abstract: 本发明涉及一种显示设备。该设备包括：显示基板；液晶层，设置在显示基板上；公共电极，设置在液晶层上；第一保护层，设置在公共电极上；偏振器单元，设置在第一保护层上；以及颜色转换层，设置在偏振器单元上。偏振器单元包括使光偏振的偏振部分以及阻挡光的透射的阻挡部分。阻挡部分通过接触孔被连接到公共电极。接触孔是第一保护层中的开口。

公开(公告)号：CN103102801A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210392573.4

申请日：2012-10-16

Applicant: 三星显示有限公司 ,  三星精密化学株式会社

Inventor： 安秉斗 ,  延昇浩 ,  朴世容 ,  朴美蕙 ,  宋夫燮 ,  李泰权 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑

IPC: C09D183/06 ,  C09D183/07 ,  H01L29/786 ,  H01L23/29 ,  H01L21/77

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/16 ,  C08G77/20 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  G02F1/136227 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L23/296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的钝化层溶液组合物包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂。在化学式1中，R为选自具有1-约25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的至少一种取代基，且x和y可各自独立地为1-约200，和其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。[化学式1]

公开(公告)号：CN106292083A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610474255.0

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 崔洛初 ,  朴世容 ,  郑仲干 ,  金昌玉 ,  黄仁载

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134354 ,  H01L27/1262

Abstract: 本发明公开一种液晶显示LCD设备及其制造方法。该液晶显示设备包括：包括限定像素的电极结构层和被配置为切换像素的开关器件的第一基板；面对第一基板并包括公共电极的相对的第二基板；以及被设置在第一基板和第二基板之间的液晶层。该电极结构层包括耦合电极、第一像素电极、第二像素电极、以及被设置在耦合电极和第二像素电极之间的绝缘层。由耦合电极、绝缘层和第二像素电极限定的电阻Rp和电容Cp的第一乘积RpCp与由第二像素电极、液晶层和公共电极限定的电阻R2和电容C2的第二乘积R2C2之间的差的绝对值小于等于10。

公开(公告)号：CN103094351A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。