公开(公告)号：CN103102801A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210392573.4

申请日：2012-10-16

Applicant: 三星显示有限公司 ,  三星精密化学株式会社

Inventor： 安秉斗 ,  延昇浩 ,  朴世容 ,  朴美蕙 ,  宋夫燮 ,  李泰权 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑

IPC: C09D183/06 ,  C09D183/07 ,  H01L29/786 ,  H01L23/29 ,  H01L21/77

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/16 ,  C08G77/20 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  G02F1/136227 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L23/296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的钝化层溶液组合物包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂。在化学式1中，R为选自具有1-约25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的至少一种取代基，且x和y可各自独立地为1-约200，和其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。[化学式1]

公开(公告)号：CN105247684B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480013007.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 小坂修司 ,  林和志 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪 ,  朴辰玄

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm‑3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。

公开(公告)号：CN104681625B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN105717718A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510861984.7

申请日：2015-12-01

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李大荣 ,  安秉斗 ,  南重建 ,  赵国来

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

Abstract: 本公开提供了具有提高的亮度的显示面板以及用于制造其的方法。该显示面板包括基板、栅线、与栅线绝缘的数据线、电连接到栅线和数据线的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极组、形成在栅电极组上的栅绝缘膜、形成在栅绝缘膜上以至少部分地交叠栅电极组的有源层、以及形成在有源层上以彼此间隔开的源电极和漏电极，其中栅电极组包括形成在基板上的第一栅电极、形成在第一栅电极上的第二栅电极、以及插置在第一栅电极和第二栅电极之间的绝缘层，其中第一栅电极具有比第二栅电极高的反射率。

公开(公告)号：CN105247684A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480013007.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 小坂修司 ,  林和志 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪 ,  朴辰玄

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm-3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。

公开(公告)号：CN103229303A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103229302A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056933.7

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN114256328A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111431829.3

申请日：2016-12-20

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 崔新逸 ,  赵炫珉 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  丁有光 ,  安秉斗

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。