公开(公告)号：CN105247684B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480013007.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 小坂修司 ,  林和志 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪 ,  朴辰玄

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm‑3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。

公开(公告)号：CN105247684A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480013007.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 小坂修司 ,  林和志 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪 ,  朴辰玄

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm-3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。