公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN110970459A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910923371.X

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 姜美在 ,  裵俊佑 ,  阮成进 ,  李京垣 ,  李镕守 ,  李在燮 ,  曺奎哲 ,  车明根

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开的示例性实施方式提供了一种显示装置，包括衬底、半导体层、第一晶体管、发光二极管和第一层，半导体层布置在衬底上；第一晶体管包括布置在半导体层上的第一栅电极；发光二极管与第一晶体管连接；并且第一层布置在衬底与半导体层之间，其中，半导体层包括第一电极、第二电极和布置在第一电极与第二电极之间的沟道，沟道包括杂质，并且第一层与第一晶体管重叠。

公开(公告)号：CN109148475A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810618241.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 郑雄喜 ,  梁泰勋 ,  李京垣 ,  李宗璨 ,  李镕守

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置，第二栅电极与第二沟道区叠置。

公开(公告)号：CN111092105B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201911016248.6

申请日：2019-10-24

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 裵俊佑 ,  姜美在 ,  阮成进 ,  李京垣 ,  李镕守 ,  李在燮 ,  曹奎哲 ,  车明根

IPC: H10K59/121

Abstract: 公开了一种有机发光二极管显示器。所述有机发光二极管显示器包括：基底；叠置层，位于基底上；半导体层，位于叠置层上；第一栅极导体，位于半导体层上；第二栅极导体，位于第一栅极导体上；数据导体，位于第二栅极导体上；驱动晶体管，位于叠置层上；以及有机发光二极管，与驱动晶体管连接。驱动晶体管在半导体层中包括第一电极、第二电极并且沟道位于第一电极与第二电极之间。第一栅极导体的栅电极与沟道叠置。叠置层与驱动晶体管的沟道和第一电极的至少一部分叠置。第二栅极导体的存储线通过数据导体中的驱动电压线接收驱动电压。叠置层接收恒定电压。

公开(公告)号：CN109148513B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810614869.3

申请日：2018-06-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李宗璨 ,  梁泰勳 ,  郑雄喜 ,  李京垣 ,  李镕守

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。

公开(公告)号：CN116153940A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211448586.9

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李京垣 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  金恩贤 ,  金亨俊 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。

公开(公告)号：CN113948552A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110697787.1

申请日：2021-06-23

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金连洪 ,  高殷慧 ,  金恩贤 ,  李京垣 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32 ,  G09G3/3208

Abstract: 一种显示装置，包括：基底；防腐蚀层，所述防腐蚀层在所述基底上，并且包括无机材料；第一导电层，所述第一导电层在所述防腐蚀层上，并且包括铝或铝合金；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在所述第一导电层上；半导体层，所述半导体层在所述第一绝缘膜上，并且包括晶体管的沟道区域；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上；以及第二导电层，所述第二导电层在所述第二绝缘膜上，并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间，并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。

公开(公告)号：CN109148513A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810614869.3

申请日：2018-06-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李宗璨 ,  梁泰勳 ,  郑雄喜 ,  李京垣 ,  李镕守

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。

公开(公告)号：CN114447049A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111269412.1

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金恩贤 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  李京垣 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 本公开提供一种其中可以减小外围区域的面积同时具有简单结构的显示装置，该显示装置包括基板、位于基板上并包括从显示区域外部的外围区域延伸到显示区域中的第一延伸线、位于底部金属层上的半导体层、位于半导体层上的栅层、位于栅层上的第一金属层以及位于第一金属层上并包括第一数据线的第二金属层，第一数据线从外围区域延伸到显示区域中，并且在外围区域中电耦接至第一延伸线。

公开(公告)号：CN111009557A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910940709.2

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 裵俊佑 ,  具素英 ,  金太熙 ,  阮成进 ,  李京垣 ,  李镕守 ,  李在燮 ,  曹奎哲

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12

Abstract: 本公开涉及有机发光二极管显示器，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。