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公开(公告)号：CN107492532B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611253338.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/50 , G06K9/00
Abstract: 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107026154B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611219635.6
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一个实施例，半导体结构包括多芯片封装件系统(MCPS)。MCPS包括一个或多个管芯、沿着一个或多个管芯的侧壁延伸的模塑料、以及位于一个或多个管芯和模塑料上方的再分布层(RDL)。半导体结构还包括连接至RDL的至少一个传感器，RDL插入在至少一个传感器和一个或多个管芯之间。半导体结构还包括具有在衬底的第一侧上的导电部件的衬底。导电部件连接至RDL。衬底具有从衬底的第一侧延伸至衬底的与第一侧相对的第二侧的空腔，并且至少一个传感器设置在空腔中。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN107068627B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710073702.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN105374779B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510482229.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1705 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了半导体封装件，包括半导体管芯和衬底，衬底具有电耦接至半导体管芯的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面包括具有多个置放焊盘的核心区域以及围绕核心区域并且具有多条置放迹线的外围区域。置放焊盘的间距为约55μm至约280μm。半导体管芯包括面向衬底的第一表面的第三表面和与第三表面相对的第四表面。第三表面包括对应于衬底的置放焊盘和置放迹线而设置的多个细长凸块，并且细长凸块包括在其截面上的长轴和与长轴垂直的短轴。本发明还提供了一种制造半导体封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068627A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710073702.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN107026092A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611019343.8
申请日：2016-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供制造指纹扫描器的方法以及半导体装置。实施例包含囊封于所述指纹传感器封装内的传感器与传感器表面材料。所述传感器的电极阵列是使用贯穿通路而电连接或经由其它连接(例如线接合)而连接，所述贯穿通路位于所述传感器中、与所述传感器分离的连接块中、或穿过连接块。附接高电压裸片，以增加所述指纹传感器的灵敏性。
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公开(公告)号：CN105762128A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610173414.3
申请日：2011-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/14141 , H01L2224/81192 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0105 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L23/488 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口的部分延伸到最上方保护层上方，使得从开口的边缘到凸块的边缘的距离与凸块结构的长度的比率大于或者等于大约0.2。在另一实施例中，开口的位置相对于凸块的中心产生偏移。
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公开(公告)号：CN103378049B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310092304.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05541 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/06179 , H01L2224/1134 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/13181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/206
Abstract: 一种半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四接合焊盘的衬底。在内部区域的第一导电焊盘相对于第三接合焊盘的宽度比不同于在外部区域的第二导电焊盘相对于第四接合焊盘的宽度比。本发明提供了用于IC封装的应力减小结构。
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公开(公告)号：CN105374779A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510482229.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1705 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了半导体封装件，包括半导体管芯和衬底，衬底具有电耦接至半导体管芯的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面包括具有多个置放焊盘的核心区域以及围绕核心区域并且具有多条置放迹线的外围区域。置放焊盘的间距为约55μm至约280μm。半导体管芯包括面向衬底的第一表面的第三表面和与第三表面相对的第四表面。第三表面包括对应于衬底的置放焊盘和置放迹线而设置的多个细长凸块，并且细长凸块包括在其截面上的长轴和与长轴垂直的短轴。本发明还提供了一种制造半导体封装件的方法。
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