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公开(公告)号：CN106711325B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201510792042.8
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法，所述相变薄膜材料的通式为NixTiySbzTe100‑x‑y‑z，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤z≤85，30≤x+y+z
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公开(公告)号：CN110098832A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN106910743B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710218226.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；3)于所述第一叠层结构及所述第二叠层结构之间形成至少一个环形非易失材料层，所述环形非易失材料层与所述第一导电层及所述第二导电层相接触；4)于所述环形非易失材料层内侧形成一导电柱。本发明的三维非易失性存储器件具有存储密度高、存储单元串扰小等优点。
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公开(公告)号：CN109903805A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910139097.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种存储器片内自测试方法、装置和存储器，通过获取自测试信号后令所述存储器进入自测试状态；在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域；对所述存储器的各存储单元进行测试并将存在故障的存储单元的故障信息存储到所述无故障区域；在自测试结束后将所述无故障区域存储的首地址输出到外部端口以供读取。本发明能够降低了测试成本，而且可以对存储器进行全速测试，增加了测试的故障覆盖率和测试效率，减小了测试的面积开销，能够更加方便及时地发现存储器的问题所在。
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公开(公告)号：CN109728162A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811626077.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge-Sb-Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge-Sb-Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge-Sb-Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge-Sb-Te层纳米层并取代Ge-Sb-Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge-Sb-Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816172B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710041124.8
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的整体擦除装置，主要是在现有相变存储器的基础上单独增加了包含擦除使能开关、字线电压产生电路、擦除电压产生电路、位线擦除开关电路以及字线擦除开关等的整体擦除装置，以避免受二进制独热码译码器的限制，而应用本发明可以在整体擦除使能信号有效时，所有字线擦除开关开启，所有相变存储单元的选通管都开启，再通过位线擦除开关电路把擦除电压传送到位线上，实现相变存储器快速擦除的效果，而有效解决现有技术中，由于相变存储器没有一次整体擦除的功能，使得每次对整个相变存储器进行擦除时都不得不花费很长时间，进行数万次、上百万次甚至更多次的擦除操作的弊端。
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公开(公告)号：CN106654005B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510737451.8
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1‑x层及位于所述TixTe1‑x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1‑x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1‑x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。
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公开(公告)号：CN108963073A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810680836.9
申请日：2018-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/147 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Se‑O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法，所述Ge‑Se‑O双向阈值开关材料的化学通式为GexSeyO100‑x‑y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30
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公开(公告)号：CN108922574A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810637327.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C11/4091
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。
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公开(公告)号：CN108597558A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V-I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V-I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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