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公开(公告)号：CN107591186B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN112311361B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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公开(公告)号：CN107886993A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711022722.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/50
CPC classification number: G11C29/50 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路，包括用于进行信息存储的存储器阵列；并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元，从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压，并将要读取的位线电压与测试端隔离，减小测试端引入的电容对要读取的位线电压的影响，进而提高测试结果的准确性。本发明采用电压跟随器与位线并联的电路结构来测试存储单元操作时的电压，电压跟随器输出电压近似输入电压幅度，并对前级电路呈高阻状态，对后级电路呈低阻状态，因而起到“隔离”作用；通过位线输入操作被选中的相变存储器单元时，电压跟随器可以测试出通过存储单元的电压，提高测试进度并测试得到存储单元的电压降。
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公开(公告)号：CN107591186A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN112311361A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108597558A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V-I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V-I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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公开(公告)号：CN108520765A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN111948507A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010651804.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。本发明避免了高温环境下的繁琐测试流程以及高温对相变存储单元的损伤。
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公开(公告)号：CN108597558B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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公开(公告)号：CN108520765B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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