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公开(公告)号：CN111948507A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010651804.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。本发明避免了高温环境下的繁琐测试流程以及高温对相变存储单元的损伤。
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公开(公告)号：CN108597558B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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公开(公告)号：CN108520765B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN109903800A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910196702.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质，包括：一检测单元，用于检测数据是否存在错误；一控制信号单元，获取来自所述相变储存器的第一存取参数设定值，根据所述第一存取参数设定值产生第一读取控制信号令所述相变储存器读取第一数据页面；当接收到所述校验单元校验第一数据页面存在错误而产生的检测错误信号时，根据第二存取参数设定值产生第二读取控制信号令所述相变储存器读取所述第一数据页面；其中，配置为所述第二存取参数设定值状态下的相变储存器的存取效率低于其配置为所述第一存取参数设定值状态。解决了因各个相变存储器的读取模式和参数不同使各端口匹配困难的问题，可以令端口实现自动匹配。
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公开(公告)号：CN105742490B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610140946.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023606A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510501083.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取预写地址内的数据，获取基准参考电阻值；读取正常访问地址内的数据，以基准参考电阻值作为参考标准，若数据失效则恢复失效数据。本发明的相变存储器及其恢复数据的方法能快速判定相变存储器中的数据是否失效并恢复失效数据，操作简单、快速、效率高。
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公开(公告)号：CN102831929B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210324598.0
申请日：2012-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读写转换系统及方法，所述读写转换系统包括用于产生读脉冲及写脉冲的读写脉冲产生模块、用于锁存需要进行操作的目标地址的地址锁存模块、用于读取目标地址相变存储单元的数据的读模块、用于将待写入的数据写入到目标地址的相变存储单元的写模块、用于锁存所述读模块读出的目标地址的数据或者所述写模块已经写入目标地址的数据的数据锁存模块、以及用于比较目标地址的数据和待写入数据的数据比对模块。本发明能够通过控制读写次序使相变存储器自动在速度优先模式和功耗优先模式间切换，从而达到在不降低存储器系统可靠性的前提下，对于功耗优先的应用场合，最大限度地降低存储器的操作功耗的目的。
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公开(公告)号：CN102497181B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110436258.2
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低功耗上电复位电路。该电路至少包括：基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号的电源采样电路；用于将所述采样信号整形为阶跃信号且与所述电源采样电路构成正反馈连接的整形电路；用于将所述阶跃信号予以延迟的延迟电路；用于基于所述阶跃信号及延迟后的阶跃信号来输出上电复位信号的异或电路。本电路结构简单，其通过正反馈能使电路快速进入稳定状态，有效提高抗噪性能，且电路功耗极低。
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公开(公告)号：CN102280994B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010198187.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M1/36
Abstract: 本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法，该电路包括脉宽调制电流源电路，脉频调制电流源电路，振荡器电路，时序控制电路，采样反馈电路；所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比；所述脉频调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的频率；所述振荡器电路用以产生脉宽和频率都逐步扩大的脉冲，进而控制时序控制电路；所述时序控制电路用以分别调控所述脉宽调制电流源电路和脉频调制电流源电路；所述采样反馈电路用以采样系统的负载状况，进而使系统选择脉宽调制或脉频调制的工作方式。本发明既可以起到软启动的作用，又可以在系统运行中根据负载的轻重选择脉频调制或脉宽调制的工作方式。
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公开(公告)号：CN102750980A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210254293.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有配置电路的相变存储器芯片，至少包括：存储阵列、行译码器单元、列译码单元、列选择器单元、驱动电路单元、敏感放大器单元、地址缓冲锁存单元、数据缓冲锁存单元、逻辑控制单元、以及配置电路单元。其中，所述配置电路单元，对所述驱动电路单元进行配置，使得驱动电路产生的电流脉冲能对芯片的存储单元进行有效的写入，使存储单元的高阻和低阻在具有较好的一致性；对所述敏感放大器单元进行配置，使得敏感放大器单元能对芯片的存储单元进行有效的快速读出。
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