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公开(公告)号：CN112951295A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911178667.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定存储器施加有第一脉冲，第一脉冲用于控制存储器处于高阻状态，确定存储器施加有第二脉冲，第一脉冲的脉宽与第二脉冲的脉宽不一致，从低阻阻值集合中确定低阻状态对应的低阻阻值，根据低阻阻值确定存储器可存储的数据集合。基于本申请实施例，采用在存储器施加不同脉宽的第二脉冲，使得存储器处于低阻状态对应的低阻阻值不同，在稳定的低阻阻值时进行数据存储，能够实现数据的多级存储，相较于传统调节脉冲幅值的方法更易于实现，并且还能够降低芯片的设计难度。
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公开(公告)号：CN110600068B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910743318.1
申请日：2019-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质，该方法包括确定被一幅值区间内多个不同幅值的脉冲作用的存储器的阻值区间，确定阻值区间内的待选阻值对应的第一脉冲，根据第一脉冲作用于存储器得到的第一阻值确定预选阶梯脉冲的幅值区间，根据第一脉冲的幅值调节预选阶梯脉冲的子脉冲的脉宽，得到目标阶梯脉冲。基于本申请实施例，优化后的阶梯脉冲作用于存储器，比单脉冲或等宽阶梯脉冲作用于存储器得到的阻值更低。
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公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN105869671B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610178596.3
申请日：2016-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元。其中，在一次初始化后，可进一步验证初始化效果，并根据需要选择是否需要再次初始化。本发明使用初始化写脉冲，对阵列各单元的FCC晶粒区域进行控制，可以有效提高阵列平均写电阻，降低写电流，同时使得相变存储阵列的电阻分布更加集中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866896B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110186989.6
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/445
Abstract: 本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及系统RAM区，以使所述嵌入式设备在常规和XIP的两种启动模式下执行启动作业，进而可实现存储空间的共享，根据需求可以调整各个存储区的大小，便于实现软件升级及嵌入式设备的高效运行；同时可简化CPU接口，节约I/O引脚数量，在一些应用中甚至可以使用不带DRAM控制器的CPU以达到节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN103246610A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210032785.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启动加载信息和引导程序的启动程序存储区及建置有内核及文件系统的系统RAM区，该方法是在引导程序启动后，基于启动信息加载内核与文件系统；然后在系统RAM区标记出已用内存区及可用内存区；最后系统接收到更新或搬移指令时，申请系统RAM区中是否有连续可用的内存块，若是，则写入内核或文件系统的更新或搬移数据，若否，则整理该可用内存区中的碎片并将各该碎片合并成连续可用的内存块，以将内核或文件系统的更新或搬移数据写入该内存块，本发明模糊了内存与外存的界限，统一了存储架构，把外存管理纳入了内存管理之中，解决了不便管理等问题。
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公开(公告)号：CN102890962A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110203009.9
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（720）；所述行列译码器（520、530）用于选中所述相变存储单元；接着通过控制信号（770）控制写驱动电路（750）通过控制信号（770）在所属相变存储单元上写入相应的数据；所述读出功能电路（720）通过控制信号（770）在经过判别步骤后将读出结果输到I/O口（760）中。本发明的优点在于解决了相变储存器的多级存储中的不稳定性，符合相变存储器对高密度和可靠性的要求。
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公开(公告)号：CN102866934A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186986.2
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 本发明提供一种基于非易失随机存储器的嵌入式设备的休眠及唤醒系统，应用于嵌入式设备的操作系统中，其至少包括：一中央处理器及一具有CPU状态备份区和用以存储内存动态信息的系统RAM区的非易失随机存储器，该中央处理器接收到休眠信号时，挂起内存中相关进程及性能管理模块中注册的设备，保存CPU寄存器信息并备份至CPU状态备份区；在接收唤醒信号时，将CPU状态备份区保存的CPU寄存器信息装载至中央处理器，并基于系统RAM区的内存动态数据唤醒休眠的设备及进程，因采用非易失存储器，系统在休眠与唤醒时系统RAM区的动态内存数据无需另行备份及装载，进而降低了系统休眠及唤醒时的工作量和功耗，同时提高了系统的运行速度。
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公开(公告)号：CN102841674A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210259941.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到所述新型非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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