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公开(公告)号：CN114024434B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111190984.0
申请日：2021-10-13
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；第二开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输出节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；通过电压比较电路、低电压检测锁定输出电路、软启动电路、衬底控制电路和栅极驱动电路相互配合控制功率管的状态实现软启动和漏电防护。
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公开(公告)号：CN113162607B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110355256.4
申请日：2021-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种实现sigmoid激活函数的电路，包括：二极管电路，包括第一二极管、第二二极管和第三二极管；所述二极管电路配置成所述第一二极管与所述第二二极管电流之和为所述第三二极管电流的形式；电流传输电路，用于为所述二极管电路的输入端提供电流；输入电流‑电压转换电路，用于将所述二极管电路的输入端的电流转换为输入电压，将所述二极管电路的输出端的电流转换为输出电压；电压除法电路，用于输出所述输入电压和输出电压的比值。本发明能够用硬件电路实现神经网络中的sigmoid激活函数。
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公开(公告)号：CN112614525B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202011486054.5
申请日：2020-12-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明涉及一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路，其中，基准产生电路产生基准电压或电流提供给电流镜隔离电路；振荡器产生时钟信号用于时序电路；写信号处理电路判断写使能信号与时钟信号的关系，直接或延时后提供使能信号给脉冲控制电路；电流镜隔离电路在电流镜开关电路控制下给电流源电路提供偏置；脉冲控制电路用来控制电流源电路产生的电流脉冲幅度、电流脉冲持续时间、电流脉冲阶梯数和阶梯时间的控制；电流源电路根据电流镜隔离电路提供的偏置和脉冲控制电路产生的控制信号产生相应的写电流脉冲。本发明可以优化存储器上电后第一次写电流脉冲波形，并尽可能减少功耗。
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公开(公告)号：CN110164497B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201910561379.6
申请日：2019-06-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明提供一种非易失存储器灵敏放大器及相变存储器，包括：控制模块，产生第一控制信号及第二控制信号；低功耗模块，在外部使能信号失效时关闭比较模块；第一读取电压模块，在外部使能信号起效时读取被选中存储单元的读取电流并转化为第一读取电压；比较模块，接收第一读参考电压，在外部使能信号起效时将第一读取电压与第一读参考电压比较进而得到读出电压信号；低功耗匹配模块连接寄生匹配模块，用于对低功耗模块进行电压匹配，抵消比较模块中晶体管栅极的寄生效应。本发明的低功耗匹配模块拓扑结构、尺寸都与低功耗模块相同，寄生匹配模块中晶体管源、漏电压与比较模块中相同，因此对寄生电容的充电时间也相同，提高了读取速度。
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公开(公告)号：CN115631776A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211143725.7
申请日：2022-09-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G11C11/4097 , G11C11/4094 , G11C11/405
摘要： 本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接第二位线；第一相变器件的第二端、第一选通器件的漏极和第三选通器件的漏极连接在一起；第二相变器件的第二端、第二选通器件的漏极和第三选通器件的源极连接在一起；第一选通器件的栅极和第二选通器件的栅极连接在一起作为相变存储器单元的字线，第三选通器件的栅极连接选通线，第一选通器件的源极和第二选通器件的源极均接地。本发明能够降低相变存储器芯片的成本。
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公开(公告)号：CN113485520B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110911362.6
申请日：2021-08-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路，包括：OTA电路，包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路在产生上冲电压和下冲电压时会产生电流跳变；下冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制泄放支路；所述泄放支路用于为功率管提供栅极到地的放电通路；上冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制充电支路；所述充电支路用于为所述功率管提供电源到栅极的充电通路。本发明能显著提高LDO瞬态响应。
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公开(公告)号：CN113380296A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110495178.8
申请日：2021-05-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G11C13/00 , G06F16/583
摘要： 本发明涉及一种相变存储单元布尔逻辑的图像处理装置及方法，装置包括：相变存储阵列和写电路，所述相变存储阵列中的每个相变存储单元均串联一个选通管，所述相变存储单元的一端与位线相连，另一端与所述选通管的漏端相连，所述选通管的栅端与字线相连，源端接地；所述写电路将初始图像信息写入所述相变存储阵列中，所述选通管用于选通相变存储单元，使得相变存储单元中存储的信息与位线上的脉冲信号进行逻辑运算，以实现对初始图像信息的处理。本发明能够减少图像与模板数据库的匹配计算量，实现高效的图像近似匹配。
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公开(公告)号：CN113315506A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110494507.7
申请日：2021-05-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明涉及一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置，其中电路包括相变存储单元和选通器件，所述相变存储单元的第一端与第一输入电极相连，第二端与所述选通器件的漏端相连，所述选通器件的源端与第二输入电极相连，栅端与控制端相连；通过控制所述第一输入电极、第二输入电极、控制端的输入信号以及所述相变存储单元的初始状态实现逻辑运算操作。本发明能够在单个相变存储单元中实现多种逻辑计算。
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公开(公告)号：CN110619908B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910806731.8
申请日：2019-08-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法，通过控制突触模块中的一个开关管处于工作状态，另一个开关管处于非工作状态，进而调节突触模块中的一个忆阻器的电导，而不影响另一忆阻器的电导，实现快速调节突触权重的同时还可以减少操作过程中串扰。此外，还通过一忆阻器存储待存储数据包括的高位数据，另一忆阻器存储待存储数据包括的低位数据，扩展了忆阻器的突触分辨率。
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公开(公告)号：CN112367054A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011199579.0
申请日：2020-11-02
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种3dB带宽与相位裕度可调的运放补偿电路，包括依次连接的晶体管衬底电平产生电路、多路选择器电路和晶体管电容电路；所述晶体管衬底电平产生电路用于产生多路晶体管电容衬底电压信号；所述多路选择器电路用于从所述多路晶体管电容衬底电压信号中选择一路电压信号作为晶体管电容衬底所需的电压信号；所述晶体管电容电路位于运算放大器的输出端，用于根据所述晶体管电容衬底所需的电压信号调节所述运算放大器的3dB带宽和相位裕度。
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