-
公开(公告)号：CN112582371B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011465265.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
-
公开(公告)号：CN112614525B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202011486054.5
申请日：2020-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路，其中，基准产生电路产生基准电压或电流提供给电流镜隔离电路；振荡器产生时钟信号用于时序电路；写信号处理电路判断写使能信号与时钟信号的关系，直接或延时后提供使能信号给脉冲控制电路；电流镜隔离电路在电流镜开关电路控制下给电流源电路提供偏置；脉冲控制电路用来控制电流源电路产生的电流脉冲幅度、电流脉冲持续时间、电流脉冲阶梯数和阶梯时间的控制；电流源电路根据电流镜隔离电路提供的偏置和脉冲控制电路产生的控制信号产生相应的写电流脉冲。本发明可以优化存储器上电后第一次写电流脉冲波形，并尽可能减少功耗。
-
公开(公告)号：CN115347888A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210878324.X
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687 , G06F30/3308
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件硅等效电路，包括状态控制模块和选通模块，所述状态控制模块用于根据所述OTS选通器件硅等效电路当前状态，将所述OTS选通器件硅等效电路的正极和负极之间的电压差和外部输入的OTS阈值电压或保持电压进行比较，并根据比较结果判断下一时刻所述OTS选通器件硅等效电路的状态；所述选通模块用于根据所述状态控制模块的输出，通过两个MOS器件实现OTS选通器件开关过程的模拟。本发明能够模拟出OTS选通器件在电路中的工作状态。
-
公开(公告)号：CN112967740A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110142149.3
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非易失存储器超高速读出电路，包括存储单元阵列、读参考阵列和灵敏放大器，其中，所述灵敏放大器为锁存型灵敏放大器，包括：第一传输门，用于控制是否接收所述存储单元阵列被选中的存储单元读出的电信号；第二传输门，用于控制是否接收所述读参考阵列产生的读参考电信号；锁存模块，包括两个输入端，一个输入端与所述第一传输门相连，另一个输入端与所述第二传输门相连，用于在比较阶段比较两个输入端的电信号的差异并对两个输入端的电信号进行放大；所述第一传输门和第二传输门均设置有预充电模块，所述预充电模块用于在预充电阶段使得所述第一传输门和第二传输门的电信号维持在预设范围内。本发明能够缩短读取时间。
-
公开(公告)号：CN112582371A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011465265.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113268860B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110451730.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流；温度计算模块，用于根据所述相变单元的电压和电阻，结合设置的所述相变单元的参数计算所述相变单元的温度；结晶熔融控制模块，用于对所述相变单元的温度进行判断，得到控制指令；结晶率计算模块，用于根据所述控制指令计算结晶率；熔融率计算模块，用于根据所述控制指令计算熔融率；所述结晶率熔融率存储模块用于保存计算得到的结晶率和熔融率。本发明能够更为准确地仿真模拟出相变存储器件在电路中的工作状态。
-
公开(公告)号：CN113515914B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110451619.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
-
公开(公告)号：CN115762591A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211342813.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器高可靠写电路，包括：位线数据感知模块，用于确定选中位线上的数据状态；行列地址感知模块，用于根据选中单元的行地址和列地址确定选中单元所属的块地址；查找表模块，用于将所述选中位线上的数据状态以及选中单元所属的块地址作为索引，从写电流幅度配置表中找到最优写电流幅度；写驱动模块，用于输出所述最优写电流幅度的写电流到选中单元。本发明能够提高三维相变存储器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN113515914A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110451619.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
-
公开(公告)号：CN113268860A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110451730.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流；温度计算模块，用于根据所述相变单元的电压和电阻，结合设置的所述相变单元的参数计算所述相变单元的温度；结晶熔融控制模块，用于对所述相变单元的温度进行判断，得到控制指令；结晶率计算模块，用于根据所述控制指令计算结晶率；熔融率计算模块，用于根据所述控制指令计算熔融率；所述结晶率熔融率存储模块用于保存计算得到的结晶率和熔融率。本发明能够更为准确地仿真模拟出相变存储器件在电路中的工作状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.059 seconds)
