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公开(公告)号：CN112103157B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010862895.5
申请日：2020-08-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种平面型空气通道晶体管，包括：衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极；绝缘层位于衬底上，多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧，第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道；第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上，第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅，第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点，第一极位于第一接触点处；第三极位于绝缘层上的第二接触点处；绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触；本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道，无需高精度的光刻工艺，提高生产效率，增加了实用价值。
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公开(公告)号：CN113345781B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110571179.6
申请日：2021-05-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN113345781A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110571179.6
申请日：2021-05-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时，可在阴极上施加负偏压，在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时，阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极，产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近，栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN112103158A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010848843.2
申请日：2020-08-21
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种纳米二极管、其制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1：制备第二电极层：在衬底上处理第二电极材料形成第二电极层；S2：制备绝缘层：在所述第二电极层远离所述衬底一侧的表面上处理绝缘材料形成绝缘层；S3：制备第一电极层：在所述绝缘层远离所述第二电极层一侧的表面上处理第一电极材料形成第一电极层；S4：采用各向同性腐蚀工艺去除所述第一电极层和所述第二电极层之间的部分绝缘层，以使所述绝缘层不完全填充所述第一电极层和所述第二电极层之间的空间；本发明的纳米二极管不仅具有高功率和高频率响应优势，且同时具备低功耗、便于集成化的优点，符合未来集成电路的发展需求。
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公开(公告)号：CN110311695A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910232924.7
申请日：2019-03-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无线通信全数字射频接收装置，包括射频脉冲宽度调制模数转换模块和多相数字下变频模块，所述射频脉冲宽度调制模数转换模块将接收下来的射频模拟信号通过脉冲宽度调制实现模拟信号的采样和量化，得到模拟输入的数字信号；所述多相数字下变频模块将所述数字信号和振荡信号多相分解为并行低速采样的多个子通道，对输入数据的每个通道进行下变换操作，利用多个子通道的并行下变频实现输入数字信号的下变频。本发明可提供的高模拟输入带宽和灵活性，实现高速采样信号等效下变频，简化接收机结构，降低成本和功耗。
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公开(公告)号：CN112103157A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010862895.5
申请日：2020-08-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种平面型空气通道晶体管，包括：衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极；绝缘层位于衬底上，多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧，第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道；第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上，第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅，第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点，第一极位于第一接触点处；第三极位于绝缘层上的第二接触点处；绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触；本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道，无需高精度的光刻工艺，提高生产效率，增加了实用价值。
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公开(公告)号：CN111474195A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010290194.9
申请日：2020-04-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N23/2005 , G01N23/20025 , G01N23/04 , G01N23/20
摘要： 本发明提供一种自对准式原位表征芯片，包括衬底层，衬底层的正反面设有第一和第二绝缘层，第一绝缘层的正面设有覆盖于第一绝缘层的一部分上的一功能层以及覆盖于第一绝缘层的一部分外露部分上和功能层的一部分上的第三绝缘层；一部分第一绝缘层外露于第三绝缘层和功能层，且一部分功能层外露于第三绝缘层，以形成样品窗口；第二绝缘层上设有对准样品窗口的透射窗口。本发明还提供其制备和使用方法。该表征芯片使得待测样品可以通过该样品窗口与功能层自对准连接，从而规避制样、转移样品至表征芯片的操作，消除了相应过程中样品被污染和损伤的可能性。
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公开(公告)号：CN110212925A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910232921.3
申请日：2019-03-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无线通信全数字射频发射装置，包括：多相差值滤波处理模块，用于将经过数字调制后的基带信号的同相分量和正交分量分别进行多相内插处理，使输入信号频谱特性适合相应信道传输；时间交织增量求和调制模块，用于将经过多相内插处理的同相分量和正交分量分别在单个时钟周期内处理多个并行的一阶增量求和采样以调制成多相一位串行数据；数字上变频模块，用于将同相分量和正交分量的多相一位串行数据进行组合，并使组合后的信号从基带直接上变频到射频频段。本发明实现了传输数据从基带信号到射频信号的全数字化处理过程，提高了发射机信噪比和信号带宽，具有灵活的载波频率、带宽和调制能力。
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公开(公告)号：CN115064427A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210535946.2
申请日：2022-05-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01J21/10
摘要： 本发明涉及一种电子管集成电路，包括至少一个电子管，所述电子管包括：阳极，所述阳极设有阳极支点；栅极，所述栅极的第一侧与所述阳极支点连接，所述栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，所述阴极与所述栅极支点连接，所述阴极的靠近所述栅极的一侧设有第一凸起。本发明采用基于场发射原理工作的电子管，该电子管体积小、功耗低、发热量小、对工作环境要求低，能应用于各种集成电路。并且，基于场发射原理工作的电子管所制备的集成电路，可减少高频率信号在传输过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN111474195B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010290194.9
申请日：2020-04-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01N23/2005 , G01N23/20025 , G01N23/04 , G01N23/20
摘要： 本发明提供一种自对准式原位表征芯片，包括衬底层，衬底层的正反面设有第一和第二绝缘层，第一绝缘层的正面设有覆盖于第一绝缘层的一部分上的一功能层以及覆盖于第一绝缘层的一部分外露部分上和功能层的一部分上的第三绝缘层；一部分第一绝缘层外露于第三绝缘层和功能层，且一部分功能层外露于第三绝缘层，以形成样品窗口；第二绝缘层上设有对准样品窗口的透射窗口。本发明还提供其制备和使用方法。该表征芯片使得待测样品可以通过该样品窗口与功能层自对准连接，从而规避制样、转移样品至表征芯片的操作，消除了相应过程中样品被污染和损伤的可能性。
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