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公开(公告)号:CN108305912B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN201710018051.0
申请日:2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法,包括步骤:1)提供一基板;2)于所述基板上形成电极器件,包括测试电极、供电引线、供电电极;3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上,至少覆盖所述测试电极;4)将上述结构置于反应炉中退火;5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜;6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合,尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点,灵敏度高,响应和恢复快,稳定性好,另外,本发明工艺过程简单,成本较低,适于批量生产。
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公开(公告)号:CN115236021A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202210760500.X
申请日:2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器,包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片;反光罩上设有反射腔和若干透气孔;支撑板上设置有第一通孔和第二通孔,其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片;基座的顶面设有红外光源和两红外探测器,红外光源位于第一滤光片的正下方,两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方,两红外探测器相对于红外光源并列排布;红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的并列式双通道红外气体传感器,反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置,从而缩小体积;反射腔为折叠式反射结构,使光程增长;红外光源和两红外探测器分布在基座两端,可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号:CN115161177A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202210568675.0
申请日:2022-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12M1/34 , C12M1/00 , C12Q1/689 , C12Q1/6876 , C12Q1/04 , C12Q1/10 , G01N33/569 , G01N33/543 , G01N33/531 , B01L3/00 , C12R1/19
Abstract: 本发明涉及一种基于尺寸匹配的生物芯片及其检测方法,所述生物芯片为根据检测需求,由数个零维传感器、一维传感器或二维传感器中的一种或几种组成的多维度传感器。本发明利用与待测物尺寸相匹配的多维度传感器进行检测,得到的检测结果具有高灵敏度;使用多维度的传感器对待测物进行并行检测,可提高检测结果的精确度,进而使检测结果更加可靠。
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公开(公告)号:CN110687068B
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN201910875694.6
申请日:2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域,特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器,包括:滤波结构,用于红外光滤波,使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构;探测芯片,用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号;其中,所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器,采用超材料作为滤波结构,通过设计超材料的结构和参数,使经过超材料滤波后的红外光,对应待测气体的多个红外特征吸收峰,探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号,增强了信号的强度,提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号:CN110203879B
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN201910391545.2
申请日:2019-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法,包括:提供硅片;通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽,该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构;湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽,第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构,相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁;通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化,在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线;去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层,硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线,不仅避免硅纳米线的尺寸偏差,且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。
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公开(公告)号:CN111982323B
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN201910440473.6
申请日:2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法,热电堆型高温热流传感器包括:衬底,衬底内形成有隔热腔体;复合介质膜,位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面;电阻块,位于复合介质膜的上表面,且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方;绝缘介质层,覆盖电阻块的表面;金属图层,包括电极及引线,电极位于绝缘介质层的上表面,引线位于绝缘介质层内,电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单,热偶对数降低至1至2对,可以承受高温热流冲击,实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量,在高温环境中工作稳定,可靠性强。
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公开(公告)号:CN112103157B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202010862895.5
申请日:2020-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面型空气通道晶体管,包括:衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极;绝缘层位于衬底上,多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧,第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道;第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上,第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅,第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点,第一极位于第一接触点处;第三极位于绝缘层上的第二接触点处;绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触;本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道,无需高精度的光刻工艺,提高生产效率,增加了实用价值。
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公开(公告)号:CN110182754B
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN201910412251.3
申请日:2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法,包括步骤:提供半导体单晶衬底,在衬底表面制备薄膜掩膜,并刻蚀窗口阵列;采用湿法技术腐蚀衬底表面,在该表面形成微纳金字塔结构;移除薄膜掩膜,在衬底表面制备出薄膜,在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜;采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极;对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域;以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜,即得。本发明采用微加工技术,通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性,可以显著降低热量损耗,增强光辐射,为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。
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公开(公告)号:CN110687067B
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN201910875684.2
申请日:2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器,包括探测器,探测器包括一个探测器芯片和多种超材料,多种超材料设置在探测器芯片上方,每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰,通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整,从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重;探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料,使得探测器体积减小,从而减小红外气体传感器的体积,并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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公开(公告)号:CN112540105A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011442807.2
申请日:2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域,本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器,其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层;该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层;该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层;该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层,该修饰层的材料为杯芳烃,该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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