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公开(公告)号：CN100491971C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610027341.3
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法，其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成；其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽；热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构；热堆位于介质薄膜上面，引线柱位于支撑框架上，热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应；光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的，将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片，再采用点胶机点胶键合，或利用粘合剂光刻对准键合，或直接进行Si-Si、Si-玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN100440558C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410053913.6
申请日：2004-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用硅支撑梁的红外热电堆探测器阵列结构，其特征在于利用硅支撑梁结构取代原有各个器件单元间的硅框架以实现高密度的红外热电堆探测器阵列结构。周边硅框架不变，膜区的间距在20-700μm之间。本发明可利用无掩膜腐蚀工艺实现，且发明在保证器件结构稳定、性能优异的前提下，大大减小了单元器件的间距，从而提高了器件的占空比，有利于器件的大密度集成，同时其具有工艺简单、一致性好、重复性好、成品率高、易批量生产等特点，特别适用于制作大批量高密度的红外热电堆探测阵列。
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公开(公告)号：CN1994861A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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公开(公告)号：CN1242276C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410025197.0
申请日：2004-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新漫传感技术研究发展有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。
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公开(公告)号：CN118191066B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118191066A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN111982323A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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公开(公告)号：CN103922274B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410182370.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法，提供一硅片；在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止；沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列；去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜；形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝，在电阻丝表面形成钝化层；在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口；沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中，减少了发热丝通过衬底的热传导，减少空气热对流引起的热耗散，实现了能量聚集的作用，降低功耗的同时，提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN104111226A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410386287.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种气体检测用光学腔体，由圆柱面反射镜1、平面反射镜2和平面反射镜4组成，其中平面反射经2和平面反射镜4分别位于圆柱面反射镜1上下两侧，入射光线不经过圆柱面反射镜1的中轴线，平面反射镜2或平面反射镜4中心设置台阶式气体交换孔3。本发明所述光学腔体中光源发出的光经反射镜n次反射后到达探测器接收面，大大增加了光程，实现了小体积长光程，可广泛应用于各种光学气体传感器。
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公开(公告)号：CN101493574B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810204560.3
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械推拉式可调谐光栅，其特征在于所述的微机械推拉式可调谐光栅包括光栅条阵列、光栅链接梁、光栅支撑梁以及所连接的推驱动器和拉驱动器，其中，光栅条阵列通过光栅链接梁相连后构成光栅本体，再通过光栅支撑梁与推驱动器和拉驱动器相连构成微机械推拉式可调谐光栅；所述的推驱动器或拉驱动器位于光栅本体的一侧或两侧；光栅链接梁为1级或多级细弹性梁。本发明提供推拉式光栅结构降低了常规拉伸式DRIE工艺的苛刻要求，在相同条件下可实现更大的调谐范围，且可采用常规的MEMS工艺，易于大批量、低成本制作。
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