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公开(公告)号：CN105245198A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510780724.7
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械硅谐振器的温度补偿结构及其制作方法，包括微机械谐振器结构；设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层；所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料；所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。本发明通过在微机械振动谐振器中引入结构材料温度系数相反的另一种材料来对其进行温度补偿，能够有效控制谐振器的温度漂移；采用该温度补偿结构，可以大大提高微机械谐振器的温度稳定性，同时减少外部补偿电路的复杂性。
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公开(公告)号：CN104084249B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410332258.1
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法，其中，所述基于声子晶体的微流控结构至少包括：声子晶体；所述声子晶体至少包括：固体基板，以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域；所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布，来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布，以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体，能够有效控制声学波的传输和分布；采用该微流控结构的微流控器件，大大提高了声学波的控制效率，同时增加了声学波控制方式的多样性，能够形成独特的声场结构，实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。
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公开(公告)号：CN104084249A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410332258.1
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法，其中，所述基于声子晶体的微流控结构至少包括：声子晶体；所述声子晶体至少包括：固体基板，以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域；所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布，来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布，以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体，能够有效控制声学波的传输和分布；采用该微流控结构的微流控器件，大大提高了声学波的控制效率，同时增加了声学波控制方式的多样性，能够形成独特的声场结构，实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118191066B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN118191066A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN117740178A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311769885.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器，所述传感器由下至上依次包括：SiCOI晶圆(10)、下绝缘层(20)、下金属层(30)、上绝缘层(40)和上金属层(50)。本发明利用无线传输特性提高了测量的精确度，避开信号读取困难的同时，降低了制作成本，保留了SiC材料耐高温的特性，可实现超高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN105428518B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN105428518A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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