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公开(公告)号：CN112951295A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911178667.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定存储器施加有第一脉冲，第一脉冲用于控制存储器处于高阻状态，确定存储器施加有第二脉冲，第一脉冲的脉宽与第二脉冲的脉宽不一致，从低阻阻值集合中确定低阻状态对应的低阻阻值，根据低阻阻值确定存储器可存储的数据集合。基于本申请实施例，采用在存储器施加不同脉宽的第二脉冲，使得存储器处于低阻状态对应的低阻阻值不同，在稳定的低阻阻值时进行数据存储，能够实现数据的多级存储，相较于传统调节脉冲幅值的方法更易于实现，并且还能够降低芯片的设计难度。
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公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN112311361B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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公开(公告)号：CN113517015A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110471674.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112285519A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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公开(公告)号：CN107886993A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711022722.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/50
CPC classification number: G11C29/50 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路，包括用于进行信息存储的存储器阵列；并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元，从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压，并将要读取的位线电压与测试端隔离，减小测试端引入的电容对要读取的位线电压的影响，进而提高测试结果的准确性。本发明采用电压跟随器与位线并联的电路结构来测试存储单元操作时的电压，电压跟随器输出电压近似输入电压幅度，并对前级电路呈高阻状态，对后级电路呈低阻状态，因而起到“隔离”作用；通过位线输入操作被选中的相变存储器单元时，电压跟随器可以测试出通过存储单元的电压，提高测试进度并测试得到存储单元的电压降。
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公开(公告)号：CN112285519B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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公开(公告)号：CN113539311A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110724690.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电，同时提高存储单元可靠性。
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公开(公告)号：CN113488093A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754913.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置，方法包括以下步骤：将存储器单元操作至低阻态；根据所述存储器单元的电阻变化特性，提取一组电脉冲，使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加；使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储，并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作，确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗，提高效率，节约成本，提高多级存储成功率。
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