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公开(公告)号：CN107591186B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN107068198A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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公开(公告)号：CN107068198B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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公开(公告)号：CN108597558A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810368154.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V-I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V-I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。
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公开(公告)号：CN108520765A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024054A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610349687.9
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004
Abstract: 本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器，包括：对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元；对列地址信号进行译码的列译码器单元；输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元；开启存储阵列中相应位线，并将测试电压/电流信号加载到相应存储单元上的列选择器单元；读取加载有测试电压/电流信号的存储单元上的电流/电压的电流/电压读出单元，以测试保持力特性。本发明在进行保持力测试时，对存储单元施加电压/电流，外部监控设备通过电流/电压读出模块对存储单元的电流/电压变化情况进行记录，统计存储状态失效的时间，从而得到相变存储器的保持力特性，操作简单、准确性高。
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公开(公告)号：CN107886993A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711022722.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/50
CPC classification number: G11C29/50 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路，包括用于进行信息存储的存储器阵列；并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元，从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压，并将要读取的位线电压与测试端隔离，减小测试端引入的电容对要读取的位线电压的影响，进而提高测试结果的准确性。本发明采用电压跟随器与位线并联的电路结构来测试存储单元操作时的电压，电压跟随器输出电压近似输入电压幅度，并对前级电路呈高阻状态，对后级电路呈低阻状态，因而起到“隔离”作用；通过位线输入操作被选中的相变存储器单元时，电压跟随器可以测试出通过存储单元的电压，提高测试进度并测试得到存储单元的电压降。
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公开(公告)号：CN107591186A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN105810242A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610118179.X
申请日：2016-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/02 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数，根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系，调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器，监测存储单元的操作条件，实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间，从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。
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公开(公告)号：CN105742490A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610140946.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233
Abstract: 本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。
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