公开(公告)号：CN105810242A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610118179.X

申请日：2016-03-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 霍如如 ,  蔡道林 ,  陈一峰 ,  魏宏阳 ,  方红波 ,  卢瑶瑶 ,  宋志棠

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/3495

Abstract: 本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数，根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系，调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器，监测存储单元的操作条件，实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间，从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。