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公开(公告)号：CN111662641B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％‑30wt％；保护剂0wt％‑10wt％；表面活性剂0wt％‑10wt％；氧化剂0.001wt％‑10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN110098832B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN110655087A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911012164.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅胶体及其制备方法，所述二氧化硅胶体的制备方法包括如下步骤：将无机碱溶液按一定滴加速度要求加入到pH为2～4的活性硅酸中制得pH为8.5～9.5的碱性混合物；将碱性混合物升温至90℃～100℃保温至少10min获得非球形二氧化硅晶种；将非球形二氧化硅晶种加热至沸，在保证体系pH为9.0～10.0的情况下，滴加活性硅酸保温至少10min；自然冷却至室温获得二氧化硅胶体，且二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形。这种新的制备方法简单有效，能够确保二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形，并且避免了二氧化硅胶体中如Ca2+、Mg2+、Al3+等金属阳离子杂质，拓宽了其应用范围。
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公开(公告)号：CN109988508A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711475583.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及精密抛光技术领域，特别是涉及一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种硅溶胶基磁流变金属抛光液，包括如下组分：硅溶胶、金属表面保护剂、分散剂、pH缓冲剂、磁性粒子保护剂、所述抛光液的pH值为9‑13。本发明针对如何使抛光液与磁性粒子相互配合，克服磁性粒子本身具有的易团聚、易板结和易被腐蚀等缺点，所提供的抛光液能够解决磁流变抛光过程中出现的磁流变液板结、寿命短，抛光后表面出现划伤、异色和难清洗等问题，具有优良的产业化前景。
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公开(公告)号：CN109988507A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473665.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，特别是涉及一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种抛光液，按重量百分比计，包括如下组分：磨料10‑59%；表面活性剂0.005‑1%；去离子水40‑89%；pH值调节剂适量；所述抛光液的pH值范围为2‑10。本发明所提供的抛光液可应用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光工艺中，采用本发明提供的抛光液对氧化锆进行抛光，可以使得氧化锆陶瓷表面粗糙度小于0.2nm，抛光速率大于6μm/h，并可有效消除凹坑、凸起、划痕等表面缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106044786B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610382474.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸，在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位，期间，滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5，保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度，同时减少划痕产生。
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公开(公告)号：CN104556061B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410852430.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种改性二氧化硅胶体的制备方法，依次包括以下步骤：1）调节铝改性硅溶胶溶液的pH至8.5~10.5，再加热至100~120℃并保温；2）搅拌过程中加入颗粒半径为10~15nm的二氧化硅胶体溶液；3）搅拌过程中加入活性硅酸和稳定剂，并控制溶液pH为8.5~10.5；4）冷却至室温；搅拌陈化；5）超滤浓缩至固含量为20~40wt%的浓缩液。本发明中公开了一种改性二氧化硅胶体的制备方法，采用本发明中制备方法制备的二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为花瓣形的二氧化硅颗粒，非球形，这种颗粒的颗粒大，在应用于化学机械抛光时能够更有效的达到机械研磨的目的，提高研磨的效率，同时研磨材料的表面性能良好。
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公开(公告)号：CN106010297A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610445394.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/30625
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝抛光液的制备方法，包括如下步骤：1）将硅烷偶联剂、乙醇和水混合形成水解液；2）在95~110℃加热和搅拌条件下，将水解液加入到氧化铝粉末中，保持边搅拌边加热，直至液体挥发完全获得改性氧化铝；3）将改性氧化铝研磨成粉末分散到水里，调节溶液pH为9.5~10.5即为氧化铝抛光液。使用本发明的氧化铝抛光液可达到pH=13.00时的抛光效率，同时抛光片较少有划痕出现。
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公开(公告)号：CN104556060B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410854330.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是：通过特选的酸性溶液与处理方法，形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状，其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大，故而能够提高抛光速率。同时，由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度，对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒，能有效提高抛光速率与降低表面损伤。
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公开(公告)号：CN103618045B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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