公开(公告)号：CN109987609A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201711473611.8

申请日：2017-12-29

Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  刘宇翔 ,  王光灵 ,  霍军朝 ,  宋志棠

IPC: C01B33/145

Abstract: 本发明涉及无机纳米材料领域，特别是涉及一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法。本发明提供一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法，包括：1）在溶剂体系中，将硅烷前驱体快速加入碱和去离子水的混合液中中搅拌混合反应，后经过陈化，得到初始的粒径均一的二氧化硅溶胶；2）将初始的二氧化硅溶胶与含氟疏水剂的溶液混合，制得具有高疏水性的二氧化硅溶胶。本发明针对如何提升二氧化硅涂层疏水性的问题，选取合适的疏水剂，通过条件简单、简便可行的方法制得可用于多种基材的二氧化硅溶胶。

公开(公告)号：CN109988507A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201711473665.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  王光灵 ,  霍军朝 ,  刘宇翔 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，特别是涉及一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种抛光液，按重量百分比计，包括如下组分：磨料10‑59%；表面活性剂0.005‑1%；去离子水40‑89%；pH值调节剂适量；所述抛光液的pH值范围为2‑10。本发明所提供的抛光液可应用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光工艺中，采用本发明提供的抛光液对氧化锆进行抛光，可以使得氧化锆陶瓷表面粗糙度小于0.2nm，抛光速率大于6μm/h，并可有效消除凹坑、凸起、划痕等表面缺陷。