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公开(公告)号：CN111635701B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005‑20％；抑制剂0.1‑100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111662641A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％-30wt％；保护剂0wt％-10wt％；表面活性剂0wt％-10wt％；氧化剂0.001wt％-10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN111662641B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％‑30wt％；保护剂0wt％‑10wt％；表面活性剂0wt％‑10wt％；氧化剂0.001wt％‑10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN110655087A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911012164.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅胶体及其制备方法，所述二氧化硅胶体的制备方法包括如下步骤：将无机碱溶液按一定滴加速度要求加入到pH为2～4的活性硅酸中制得pH为8.5～9.5的碱性混合物；将碱性混合物升温至90℃～100℃保温至少10min获得非球形二氧化硅晶种；将非球形二氧化硅晶种加热至沸，在保证体系pH为9.0～10.0的情况下，滴加活性硅酸保温至少10min；自然冷却至室温获得二氧化硅胶体，且二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形。这种新的制备方法简单有效，能够确保二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形，并且避免了二氧化硅胶体中如Ca2+、Mg2+、Al3+等金属阳离子杂质，拓宽了其应用范围。
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公开(公告)号：CN114410226A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210101644.4
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种抛光液及其制备方法和应用。所述抛光液包括研磨剂、高锰酸钠、离子强度调节剂和水，进一步，还包括选自分散剂、防沉剂和pH调节剂中的至少一种。所述抛光液的制备方法包括如下步骤：将所述抛光液中的各组分进行混合，得到所述抛光液。所述抛光液在碳化硅抛光领域中的用途。本发明的抛光液通过选择研磨剂、高锰酸钠和离子强度调节剂并将其合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率获得很大提升，尤其适用于难加工的含硅表面的超精密光学器件或半导体功率器件的表面抛光，是理想的半导体化合物晶圆制造的亚纳米级光洁度的抛光液材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111925731A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010722551.4
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用，所述复合磨料以碳酸钙纳米颗粒为核，二氧化硅颗粒为壳。本发明具有独特的结构和性能，相比纯硅溶胶而言，对硅片、氧化硅片、二氧化硅层、氮化硅层等介质层材料的抛光速率更快；相比氧化铝磨料而言，对介质层材料的抛光后的表面质量更好，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748287A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010620169.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体35-90％；磨料颗粒0.01-40％；氧化剂0.01-30％。本发明通过选择合理的磨料颗粒和氧化剂并进行合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率亦获得很大提升；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113277521A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531736.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C01B33/143 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种胶体二氧化硅的制备方法，本发明采用胶体二氧化硅颗粒边生长边过滤边超滤浓缩排水的方法，实现颗粒制造周期缩短一半以上，生产效率大大提高；制备得到的胶体二氧化硅，粒径在60nm‑150nm，大颗粒数(≥0.56微米的颗粒数)
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公开(公告)号：CN111748286A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010618676.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种金属钴抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤10％；L-天冬氨酸0.005-10％；谷胱甘肽0.005-10％。本发明通过调配氧化剂和络合剂的比例以及添加谷胱甘肽，得到的抛光液可以抑制金属钴的化学腐蚀，同时提高抛光速率以及降低表面粗糙度，同时降低Cu-Co之间的电偶腐蚀，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111635701A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50-80％；磨料0.1-10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005-20％；抑制剂0.1-100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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