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公开(公告)号:CN106044786B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201610382474.6
申请日:2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法,其主要作为抛光液使用提高抛光速度,所述制备方法是采用以下方法制备的:以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种,搅拌并加热,同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸,在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位,期间,滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5,保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度,同时减少划痕产生。
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公开(公告)号:CN113277521A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110531736.1
申请日:2021-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C01B33/143 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种胶体二氧化硅的制备方法,本发明采用胶体二氧化硅颗粒边生长边过滤边超滤浓缩排水的方法,实现颗粒制造周期缩短一半以上,生产效率大大提高;制备得到的胶体二氧化硅,粒径在60nm‑150nm,大颗粒数(≥0.56微米的颗粒数)
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公开(公告)号:CN106044786A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610382474.6
申请日:2016-06-01
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C01B33/145 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , C01B33/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法,其主要作为抛光液使用提高抛光速度,所述制备方法是采用以下方法制备的:以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种,搅拌并加热,同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶晶种和活性硅酸,在整体反应过程中采用加热浓缩法维持恒液位,期间,滴加无机碱稀溶液以保持体系的pH值在9.5~10.5,保温后冷却。采用本发明制备的硅溶胶能够有效的提高抛光速度,同时减少划痕产生。
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公开(公告)号:CN214810843U
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202121017496.5
申请日:2021-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种胶体二氧化硅制备装置,包括反应釜、高温泵、过滤器和超滤器,所述反应釜和所述高温泵连接,所述高温泵和所述过滤器连接,所述过滤器和所述超滤器连接,所述超滤器和所述反应釜连接;所述反应釜的外壁设置有夹套,所述夹套用于反应釜在制备二氧化硅时循环通入蒸汽对所述反应釜进行加热,所述夹套用于反应釜在反应结束后循环通入冷却水对所述反应釜进行降温;所述反应釜用于将物料经由所述高温泵输送至过滤器,所述过滤器将物料过滤后输送至所述超滤器,所述超滤器对过滤后的物料进行浓缩后输送至所述反应釜。本实用新型可实现高温下二氧化硅颗粒边生长边过滤边浓缩,同时还可避免后续的浓缩步骤。
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公开(公告)号:CN110655087A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201911012164.5
申请日:2019-10-23
Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅胶体及其制备方法,所述二氧化硅胶体的制备方法包括如下步骤:将无机碱溶液按一定滴加速度要求加入到pH为2~4的活性硅酸中制得pH为8.5~9.5的碱性混合物;将碱性混合物升温至90℃~100℃保温至少10min获得非球形二氧化硅晶种;将非球形二氧化硅晶种加热至沸,在保证体系pH为9.0~10.0的情况下,滴加活性硅酸保温至少10min;自然冷却至室温获得二氧化硅胶体,且二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形。这种新的制备方法简单有效,能够确保二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形,并且避免了二氧化硅胶体中如Ca2+、Mg2+、Al3+等金属阳离子杂质,拓宽了其应用范围。
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公开(公告)号:CN215842853U
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202122105562.0
申请日:2021-09-02
Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J3/00 , B01J19/18 , C01B33/141
Abstract: 本实用新型涉及制备二氧化硅的设备技术领域,尤其是涉及一种制备胶体二氧化硅的装置。一种制备胶体二氧化硅的装置,包括反应釜、冷凝器、收集罐和真空发生器,所述收集罐和所述真空发生器连通,所述反应釜设有排气口和回气口,所述冷凝器设有气体入口和气体冷凝液出口,所述排气口与所述气体入口通过第一管道连通,所述气体冷凝液出口与所述回气口通过第二管道连通,所述气体冷凝液出口与所述收集罐通过第三管道连通。本实用新型的装置将多个相互独立的工艺流程进行一体化集成,使得胶体二氧化硅的合成反应、浓缩反应和置换反应得到有机结合,实现了同一反应釜内高效制备胶体二氧化硅的工业化制备,缩短了工艺流程,降低了工艺难度。
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公开(公告)号:CN112320807A
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN202011350194.X
申请日:2020-11-26
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司 , 上海前瞻创新研究院有限公司
IPC: C01B33/146 , C03C27/12 , C09D1/00 , C09D5/18
Abstract: 本发明属于无机纳米材料的技术领域,具体涉及一种改性硅溶胶、防火液、复合防火玻璃及其制备方法和用途。该改性硅溶胶的制备方法包括如下步骤:1)将待改性的硅溶胶与硅烷偶联剂混合并反应;2)将含有反应基团的有机聚合物与步骤1)得到的物料混合并反应,得到所述改性硅溶胶。该改性硅溶胶通过上述制备方法制备获得,用于制备防火液,获得的防火液交联密度高,附着力好。
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公开(公告)号:CN102391787A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110228844.8
申请日:2011-08-10
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液包括如下重量百分含量的组分:磨料20-40wt%、1,2-丙二胺0.5-5wt%、季铵盐或者季铵碱0.5-5wt%、水50-79wt%;所述抛光液中大于等于0.56??m的大颗粒数为20万颗/ml-80万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明的抛光液具有抛光速度快,表面缺陷少(无划伤和拉丝等不良现象),抛光后硅片表面易清洗等优点,特别适合硅单晶片的粗抛光。
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公开(公告)号:CN102061131A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010553543.8
申请日:2010-11-22
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液的组分及重量百分含量为:磨料20-40wt%、pH值调节剂5-10wt%、表面活性剂0.04-0.05wt%、氧化剂1-10wt%、螯合剂3-5wt%、余量为水;抛光液中≥0.56微米的大颗粒数为30-150万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明通过控制抛光液中组分、配比及≥0.56微米的大颗粒数来控制硅片的抛光,在保证硅片抛光速率≥1微米/分钟的情况下,大大降低了硅片抛光后的表面微划伤,即在满足硅片生产率的同时,提高硅片的合格率,降低生产成本。
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公开(公告)号:CN112320807B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202011350194.X
申请日:2020-11-26
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司 , 上海前瞻创新研究院有限公司
IPC: C01B33/146 , C03C27/12 , C09D1/00 , C09D5/18
Abstract: 本发明属于无机纳米材料的技术领域,具体涉及一种改性硅溶胶、防火液、复合防火玻璃及其制备方法和用途。该改性硅溶胶的制备方法包括如下步骤:1)将待改性的硅溶胶与硅烷偶联剂混合并反应;2)将含有反应基团的有机聚合物与步骤1)得到的物料混合并反应,得到所述改性硅溶胶。该改性硅溶胶通过上述制备方法制备获得,用于制备防火液,获得的防火液交联密度高,附着力好。
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