一种二氧化硅胶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110655087A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201911012164.5

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 本发明提供一种二氧化硅胶体及其制备方法,所述二氧化硅胶体的制备方法包括如下步骤:将无机碱溶液按一定滴加速度要求加入到pH为2~4的活性硅酸中制得pH为8.5~9.5的碱性混合物;将碱性混合物升温至90℃~100℃保温至少10min获得非球形二氧化硅晶种;将非球形二氧化硅晶种加热至沸,在保证体系pH为9.0~10.0的情况下,滴加活性硅酸保温至少10min;自然冷却至室温获得二氧化硅胶体,且二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形。这种新的制备方法简单有效,能够确保二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形,并且避免了二氧化硅胶体中如Ca2+、Mg2+、Al3+等金属阳离子杂质,拓宽了其应用范围。

    一种制备胶体二氧化硅的装置

    公开(公告)号:CN215842853U

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202122105562.0

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 本实用新型涉及制备二氧化硅的设备技术领域,尤其是涉及一种制备胶体二氧化硅的装置。一种制备胶体二氧化硅的装置,包括反应釜、冷凝器、收集罐和真空发生器,所述收集罐和所述真空发生器连通,所述反应釜设有排气口和回气口,所述冷凝器设有气体入口和气体冷凝液出口,所述排气口与所述气体入口通过第一管道连通,所述气体冷凝液出口与所述回气口通过第二管道连通,所述气体冷凝液出口与所述收集罐通过第三管道连通。本实用新型的装置将多个相互独立的工艺流程进行一体化集成,使得胶体二氧化硅的合成反应、浓缩反应和置换反应得到有机结合,实现了同一反应釜内高效制备胶体二氧化硅的工业化制备,缩短了工艺流程,降低了工艺难度。

    一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用

    公开(公告)号:CN102391787A

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201110228844.8

    申请日:2011-08-10

    Abstract: 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液包括如下重量百分含量的组分:磨料20-40wt%、1,2-丙二胺0.5-5wt%、季铵盐或者季铵碱0.5-5wt%、水50-79wt%;所述抛光液中大于等于0.56??m的大颗粒数为20万颗/ml-80万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明的抛光液具有抛光速度快,表面缺陷少(无划伤和拉丝等不良现象),抛光后硅片表面易清洗等优点,特别适合硅单晶片的粗抛光。

    一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法

    公开(公告)号:CN102061131A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010553543.8

    申请日:2010-11-22

    Abstract: 本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域,涉及降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液的组分及重量百分含量为:磨料20-40wt%、pH值调节剂5-10wt%、表面活性剂0.04-0.05wt%、氧化剂1-10wt%、螯合剂3-5wt%、余量为水;抛光液中≥0.56微米的大颗粒数为30-150万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明通过控制抛光液中组分、配比及≥0.56微米的大颗粒数来控制硅片的抛光,在保证硅片抛光速率≥1微米/分钟的情况下,大大降低了硅片抛光后的表面微划伤,即在满足硅片生产率的同时,提高硅片的合格率,降低生产成本。

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