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公开(公告)号：CN107591179B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710813137.2
申请日：2017-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，所述电路结构包括N位循环计数器电路，与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路，及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列，通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的存储器字中，避免了对一个存储器字的过度操作，在每次掉电时，把触发器电路的状态存储在非挥发相变存储器中，在每次上电时，读出非挥发相变存储器中的数据，使触发器电路及N位循环计数器电路恢复到掉电前状态，实现了存储器字在任何情况下的均衡操作。通过本发明所述一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，解决了现有技术中相变存储器无法实现每个存储单元的读写擦均衡的问题。
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公开(公告)号：CN107644664A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710889441.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法，实现在对三维垂直型存储器进行读/写操作时，将所述三维垂直型存储器中的所有位线置为读不选择位线电压或写不选择位线电压，将其所有字线置为读不选择字线电压或写不选择字线电压，将其所有源线置为0V；待读/写脉冲信号到来时，将待操作存储单元的源线置为电源电压，同时对待操作存储单元所在的位线和字线进行电压配置，以使所述待操作存储单元两端的电压之差等于读操作电压或写操作电压，半选通存储单元两端的电压之差等于所述读操作电压的一半或所述写操作电压的一半。通过本发明所述电路及方法，实现所述存储器读出速度快，功耗低、工程实现性高、漏电少、读出正确率高。
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公开(公告)号：CN106816172A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710041124.8
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0097
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的整体擦除装置，主要是在现有相变存储器的基础上单独增加了包含擦除使能开关、字线电压产生电路、擦除电压产生电路、位线擦除开关电路以及字线擦除开关等的整体擦除装置，以避免受二进制独热码译码器的限制，而应用本发明可以在整体擦除使能信号有效时，所有字线擦除开关开启，所有相变存储单元的选通管都开启，再通过位线擦除开关电路把擦除电压传送到位线上，实现相变存储器快速擦除的效果，而有效解决现有技术中，由于相变存储器没有一次整体擦除的功能，使得每次对整个相变存储器进行擦除时都不得不花费很长时间，进行数万次、上百万次甚至更多次的擦除操作的弊端。
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公开(公告)号：CN106898371B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710102254.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电压；待脉冲信号到来后，将要读取的存储单元所在的位线置为读取电压Vread，将要读取的存储单元所在的字线置为0V；其中，所述读不选择位线电压介于Vread/2与Vread之间；所述读不选择字线电压介于Vread/2与Vread之间。本发明降低了位线上半选通单元两端的电压，三维存储器芯片在读操作时功耗变低、速度变快、无全阵列漏电、选中字线上未被选中的存储单元保持半选通。
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公开(公告)号：CN106356090B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610744117.X
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取所述被选中的相变存储单元中存储的数据。本发明可以达到相对较小的随机读取时间，同时也兼顾了读取的正确性和读裕度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106410773B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610846364.0
申请日：2016-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，所述ESD电路在传统堆叠电路的基础上增加了偏置电压传输电路和高压传输电路；偏置电压传输电路，分别与分压电路及反相器电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为正常上电脉冲时，偏置电压传输电路开启，将分压电路的输出电压传输到反相器电路；高压传输电路，分别与内部ESD总线及泄放电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为高压瞬态脉冲时，高压传输电路开启，并将高压瞬态脉冲产生的高压信号传输到泄放电路，增大ESD电路的电流泄放能力。通过本发明的增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，解决了传统堆叠式ESD电路存在泄放电流能力弱的问题。
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公开(公告)号：CN107591179A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710813137.2
申请日：2017-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，所述电路结构包括N位循环计数器电路，与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路，及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列，通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的存储器字中，避免了对一个存储器字的过度操作，在每次掉电时，把触发器电路的状态存储在非挥发相变存储器中，在每次上电时，读出非挥发相变存储器中的数据，使触发器电路及N位循环计数器电路恢复到掉电前状态，实现了存储器字在任何情况下的均衡操作。通过本发明所述一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，解决了现有技术中相变存储器无法实现每个存储单元的读写擦均衡的问题。
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公开(公告)号：CN106410773A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610846364.0
申请日：2016-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H02H9/047
Abstract: 本发明提供增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，所述ESD电路在传统堆叠电路的基础上增加了偏置电压传输电路和高压传输电路；偏置电压传输电路，分别与分压电路及反相器电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为正常上电脉冲时，偏置电压传输电路开启，将分压电路的输出电压传输到反相器电路；高压传输电路，分别与内部ESD总线及泄放电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为高压瞬态脉冲时，高压传输电路开启，并将高压瞬态脉冲产生的高压信号传输到泄放电路，增大ESD电路的电流泄放能力。通过本发明的增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，解决了传统堆叠式ESD电路存在泄放电流能力弱的问题。
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公开(公告)号：CN106356090A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610744117.X
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C2013/0042
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取所述被选中的相变存储单元中存储的数据。本发明可以达到相对较小的随机读取时间，同时也兼顾了读取的正确性和读裕度。
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公开(公告)号：CN106816172B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710041124.8
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的整体擦除装置，主要是在现有相变存储器的基础上单独增加了包含擦除使能开关、字线电压产生电路、擦除电压产生电路、位线擦除开关电路以及字线擦除开关等的整体擦除装置，以避免受二进制独热码译码器的限制，而应用本发明可以在整体擦除使能信号有效时，所有字线擦除开关开启，所有相变存储单元的选通管都开启，再通过位线擦除开关电路把擦除电压传送到位线上，实现相变存储器快速擦除的效果，而有效解决现有技术中，由于相变存储器没有一次整体擦除的功能，使得每次对整个相变存储器进行擦除时都不得不花费很长时间，进行数万次、上百万次甚至更多次的擦除操作的弊端。
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